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J-GLOBAL ID：201702245061204493   整理番号：17A1619436

Ge₂Sb₂Te₅ベースの相変化メモリのRESET不良解析

RESET failure analysis of phase change memory based on Ge₂Sb₂Te₅

著者 (4件)： Wang Yuchan (School of Optoelectronic Engineering, Chongqing University of Posts and Telecommunications) ,  Wang Yuhan (School of Electrical and Electronic Engineering, Chongqing University of Technology) ,  Chen Xiaogang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Laboratory, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Xiaoyun (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics and Nanotechnology Laboratory, Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology, Chinese Academy of Sciences)
資料名： IEICE Electronics Express (Web)  (IEICE Electronics Express (Web))
巻： 14  号： 17  ページ： 20170673(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： U0039A  ISSN： 1349-2543  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 80nmの加熱電極を有する不揮発性相変化メモリ(PCM)セルには,初期にRESET不良が見られることがある。PCMに初期不良をもたらす原因を調査した。エネルギー分散X線分光分析(EDS)の結果比較から,初期不良セルのTiNとbottom electron conntact(BEC)の界面に近い位置で成分の偏析が起こることがあることを観察した。その主な原因は,TiがリッチなTiNおよびGe₂Sb₂Te₅(GST-225)層との間の不安定な界面と,ムラのある製造プロセスにあると考えられる。初期に不良となったセルのBEC近くの材料の化学成分が,偏析によって変化していた。材料の変化がRESET不良の直接の理由と考え,そのことを2次元有限解析によって確認した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ゲルマニウム化合物 ,  *不揮発性メモリ ,  *故障解析 ,  偏析 ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  エネルギー分散X線分光分析
準シソーラス用語： *相変化メモリ ,  リセット ,  *不良解析 ,  TiN

著者キーワード (4件)： phase change memory (PCM) ,  RESET failure ,  EDS ,  finite analysis

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (14件)：

• [1] S. Lai, “Current status of the phase change memory and its future,” IEEE IEDM Tech. Dig. (2003) 10.1.1 (DOI: 10.1109/IEDM.2003.1269271).
• [2] M. Wuttig and N. Yamada: “Phase-change materials for rewriteable data storage,” Nat. Mater. 6 (2007) 824 (DOI: 10.1038/nmat2009).
• [3] R. Bez: “Chalcogenide PCM: A memory technology for next decade,” IEEE IEDM Tech. Dig. (2010) 1 (DOI: 10.1109/IEDM.2009.5424415).
• [4] J. B. Parket al.: “Phase-change behavior of stoichiometric Ge₂Sb₂Te₅ in phase-change random access memory,” J. Electrochem. Soc. 154 (2007) H139 (DOI: 10.1149/1.2409482).
• [5] S. M. Yoonet al.: “Nanoscale observations of the operational failure for phase-change-type nonvolatile memory devices using Ge₂Sb₂Te₅ chalcogenide thin films,” Appl. Surf. Sci. 254 (2007) 316 (DOI: 10.1016/j.apsusc.2007.07.098).

タイトルに関連する用語 (2件)： 相変化メモリ ,  不良解析