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J-GLOBAL ID：201702245173504457   整理番号：17A1651109

ミラー効果に基づくパワーMOSFETのその場予後法【Powered by NICT】

In-situ prognostic method of power MOSFET based on miller effect

著者 (5件)： Chen Cen (School of Electrical Engineering and Automation, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Ye Xuerong (School of Electrical Engineering and Automation, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Wang Han (School of Electrical Engineering and Automation, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Zhai Guofu (School of Electrical Engineering and Automation, Harbin Institute of Technology, Harbin, China) ,  Wan Ran (Xi’an Aeronautics Computing Technique Research Institute, Xi’an, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： PHM (Harbin)  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パワーMOSFETはパワーエレクトロニクスシステムの故障は,システム損失関数に導くであろうにおいて重要な役割を果たす。MOSFETの劣化故障過程と機構は,学者の広い注目を集めている。しかし電流研究は,MOSFETのリアルタイム分解モニタリング問題を解くことはできない。通常,MOSFETは試験またはモニタリングシステムから除去すべきである。ミラー効果に基づくMOSFETのための新しいその場予後手法を提案した。理論解析,シミュレーションおよび実験結果によれば,ミラープラットフォーム電圧は新しい分解前駆体として同定した。,粒子フィルタアルゴリズムをミラープラットフォーム電圧の劣化データに基づく有用な寿命(RUL)予測を残りのMOSFETに使用されている。一方,異なる分解レベルを持つMOSFET試料は「ゲートバイアスの過大応力」加速寿命試験により形成される。試料はミラープラットフォーム電圧のモニタリングと抽出のための応用回路に配置し,本論文で提案した方法を検証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 監視装置 ,  劣化故障 ,  損失関数 ,  予測 ,  電圧 ,  *MOSFET ,  前駆体 ,  電流 ,  応用回路 ,  アルゴリズム
準シソーラス用語： 加速劣化試験 ,  粒子フィルタ ,  理論解析 ,  *パワーMOSFET ,  *ミラー効果 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  計算機シミュレーション  (JE11000H)

タイトルに関連する用語 (3件)： ミラー ,  パワーMOSFET ,  予後