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J-GLOBAL ID：201702245261677229   整理番号：17A0881668

スパッタしたAlN上に成長させたGaN膜の不純物取込に及ぼすAlN中間層の効果【Powered by NICT】

Effect of AlN interlayer on the impurity incorporation of GaN film grown on sputtered AlN

著者 (7件)： Chen Zhibin (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xi’dian University, Xi’an 710071, China) ,  Zhang Jincheng (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xi’dian University, Xi’an 710071, China) ,  Xu Shengrui (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xi’dian University, Xi’an 710071, China) ,  Xue Junshuai (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xi’dian University, Xi’an 710071, China) ,  Zhu Jiaduo (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xi’dian University, Xi’an 710071, China) ,  Jiang Teng (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xi’dian University, Xi’an 710071, China) ,  Hao Yue (Wide Bandgap Semiconductor Technology Disciplines State Key Laboratory, School of Microelectronics, Xi’dian University, Xi’an 710071, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 710  ページ： 756-761  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属有機化学蒸着(MOCVD)によるスパッタAlN層上に成長させたGaN膜の不純物取込に及ぼす種々のV/III比でAlN中間層の影響を調べた。AlN中間層のV/III比は成長モードに大きく影響し,異なる不純物分布と電子特性をもたらすことが分かった。最適化V/III比でAlN中間層の場合,GaNエピタキシャル膜中の酸素不純物の混入は抑制される。GaN膜の高いシート抵抗率を示した。しかし,低V/III比で,予期しない三次元成長モードが支配的な役割を果たしている。が高いV/III比で,GaN極性はN極性に反転した。これら二つの状況の両方はGaN膜の電気的性質を劣化させた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： シート抵抗 ,  最適化 ,  *窒化アルミニウム ,  三次元 ,  MOCVD ,  *窒化ガリウム ,  極性 ,  酸素 ,  *不純物 ,  電気的性質 ,  不純物分布
準シソーラス用語： 成長モード ,  *中間層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Nitrides ,  結晶成長 ,  蒸着 ,  半導体中の不純物

分類 (5件)： 精錬  (WD02040L) ,  金属系の相平衡・状態図  (CB03012T) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： スパッタ ,  AlN ,  成長 ,  GaN ,  不純物 ,  取込 ,  中間層