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J-GLOBAL ID：201702245273961774   整理番号：17A0499496

10グラムスケールのSiC@SiO₂ナノワイヤ 工業化,その場成長機構およびそれらの特異な光ルミネセンスおよび電磁波吸収特性

Ten-gram scale SiC@SiO₂ nanowires: high-yield synthesis towards industrialization, in situ growth mechanism and their peculiar photoluminescence and electromagnetic wave absorption properties

著者 (8件)： Li Z. J. (Key Laboratory of Polymer Material Advanced Manufacturings Technology of Shandong Provincial, College of Electromechanical Engineering, College of Sino-German Science and Technology, Qingdao University of Science and Technology, Qingdao 266061, P. R. China. [e-mail]) ,  Yu H. Y. ,  Song G. Y. ,  Zhao J. ,  Zhang H. ,  Zhang M. ,  Meng A. L. ,  Li Q. D.
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 19  号： 5  ページ： 3948-3954  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC@SiO₂ナノワイヤは官能性ナノ複合材としてその優れた性能および広い応用の可能性により広く注意を集めている。しかし,SiC@SiO₂ナノワイヤの低コストで高収量の大規模合成がボトルネックとなって工業的応用が妨げられている。本報は炭素熱還元戦略によるSiC@SiO₂ナノワイヤの合成法を開発し,基板を用いる成長パターンの欠点を解決した。系統的なキャラクタリゼーションの結果,生成物収量は加熱速度に依存し,最適プロセスパラメータによって,立方晶β-SiCコアおよび均一な非晶質SiO₂被覆からなる10グラムスケールのSiC@SiO₂ナノワイヤ(27.2g)が得られた。膨張-挿入-成長および膨張-包み込み-障害の阻害を含むその場機構によりSiC@SiO₂ナノワイヤの成長過程および種々の加熱速度の影響を説明した。さらに,SiC@SiO₂ナノワイヤは青紫色の光ルミネセンスおよび電磁波吸収特性を示した。本研究はSiC@SiO₂ナノワイヤの商業生産に好ましい示唆を与えるだけでなく光および電磁波遮蔽におけるSiC@SiO₂ナノワイヤの有望な応用を明らかにした。さらに開発した新しいその場成長機構は一次元ナノ材料の成長理論を豊かにし,その工業的生産へのインスピレーションを提供した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *酸化ケイ素 ,  *コアシェル構造 ,  *ナノワイヤ ,  グラファイト ,  還元 ,  熱化学反応 ,  結晶成長 ,  化学合成 ,  固相合成 ,  *光ルミネセンス ,  *電磁波吸収 ,  透過型電子顕微鏡 ,  走査電子顕微鏡 ,  X線回折 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  赤外吸収スペクトル ,  蛍光スペクトル
準シソーラス用語： FTIRスペクトル ,  その場合成 ,  ナノ粒子合成 ,  炭素熱還元

分類 (4件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  塩  (CD01050V) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  雑音一般  (ND04010J)

タイトルに関連する用語 (6件)： スケール ,  ナノワイヤ ,  工業 ,  その場成長 ,  光ルミネセンス ,  電磁波吸収