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J-GLOBAL ID：201702245303994010   整理番号：17A0617235

電気化学的同時堆積で作ったCuGaS前駆物質薄膜の特性に与えるGa量の影響

Effect of Ga content on the properties of CuGaS precursor thin films produced by electrochemical Co-deposition

著者 (2件)： YILDIRIM H. (Uludag Univ., Bursa, TUR) ,  PEKSOZ Ahmet (Uludag Univ., Bursa, TUR)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 8  ページ： 6194-6200  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CuCl₂,GaCl₃,及びNa₂S₂O₃の前駆物質とLiClから成る水性堆積浴から,同時堆積法により,Cu-Ga-Sの三元薄膜を作った。薄膜の均一性,浴中の全成分によるドーピング,及び原子の即時凝集の回避という観点から,最適な堆積電位を決定した。Ga量が薄膜特性に与える影響を調べた。光学的バンドギャップは1.6~2.2eVの範囲内にあり,Ga量が増加するとバンドギャップは低下することが分かった。生成薄膜は,すべてp型半導体挙動を示した。

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *同時蒸着 ,  *銅化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *硫化物 ,  前駆体 ,  化学合成 ,  *薄膜成長 ,  塩化銅 ,  塩化ガリウム ,  硫酸ナトリウム ,  塩化リチウム ,  析出 ,  pH【水素イオン指数】 ,  均一性 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  クロノアンペロメトリー ,  *含有量 ,  光学ギャップ ,  *蒸着膜 ,  P型半導体 ,  *太陽電池 ,  *吸収体 ,  *黄銅鉱 ,  *半導体薄膜 ,  吸収係数 ,  添加物効果
準シソーラス用語： 電気化学蒸着 ,  一段階合成 ,  析出電位

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気化学 ,  堆積 ,  前駆物質 ,  薄膜 ,  Ga