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J-GLOBAL ID：201702245408212200   整理番号：17A0968159

ダイヤモンド状炭素膜の構造発展と局所弾性係数における基板バイアスと窒素ドーピングの役割

The role of substrate bias and nitrogen doping on the structural evolution and local elastic modulus of diamond-like carbon films

著者 (5件)： POLAKI S R (Homi Bhabha National Inst., Mumbai, IND) ,  GANESAN K (Indira Gandhi Centre for Atomic Res., Kalpakkam, IND) ,  SRIVASTAVA S K (Indira Gandhi Centre for Atomic Res., Kalpakkam, IND) ,  KAMRUDDIN M (Homi Bhabha National Inst., Mumbai, IND) ,  TYAGI A K (Homi Bhabha National Inst., Mumbai, IND)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50  号： 17  ページ： 175601,1-9  発行年： 2017年05月04日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板バイアスを適当に変えて,異なるイオンエネルギーで成長させた純及び窒素ドープした一連のダイヤモンド状炭素(DLC)膜を調べた。構造相をRaman分光法,Rutherford散乱(RBS),弾性反跳検出分析(ERDA),原子間力音響顕微鏡(AFAM)により評価した。また,AFAMを用いて膜の定量的局所弾性係数を写像した。DLC膜の構造特性と局所弾性係数の直接相関を観測した。構造評価と機械的性質に基づいて,異なる基板バイアス及び窒素ドーピング下のDLC膜のあり得る成長機構を論じた。さらに,高い基板バイアス及び窒素濃度下のDLC膜中の軟質第二相の発展の直接微視的証拠を示した。

シソーラス用語： ダイヤモンド状炭素 ,  *弾性係数 ,  窒素 ,  *ドーピング ,  薄膜 ,  *DLC膜 ,  バイアス ,  Ramanスペクトル ,  Rutherford散乱分光法 ,  放射線吸収・散乱分析 ,  構造特性 ,  第二相 ,  プラズマCVD
準シソーラス用語： 基板バイアス ,  弾性反跳検出分析

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： ダイヤモンド状炭素 ,  発展 ,  弾性係数 ,  基板バイアス ,  窒素ドーピング ,  役割