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J-GLOBAL ID：201702245411022150   整理番号：17A0842569

ZnO基板上のCu-Zn-Sn-Se膜における相形成プロセスの深さ分解及び温度依存解析

Depth-resolved and temperature dependent analysis of phase formation processes in Cu-Zn-Sn-Se films on ZnO substrates

著者 (9件)： STROTH Christiane (Univ. Oldenburg, Oldenburg, DEU) ,  SAYED Mohamed H. (Univ. Oldenburg, Oldenburg, DEU) ,  SCHUSTER Matthias (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  OHLAND Joerg (Univ. Oldenburg, Oldenburg, DEU) ,  HAMMER-RIEDEL Ingo (Univ. Oldenburg, Oldenburg, DEU) ,  HAMMER Maria S. (Univ. Oldenburg, Oldenburg, DEU) ,  WELLMANN Peter (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  PARISI Juergen (Univ. Oldenburg, Oldenburg, DEU) ,  GUETAY Levent (Univ. Oldenburg, Oldenburg, DEU)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 11  ページ： 7730-7738  発行年： 2017年06月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ケステライトCu₂ZnSnSe₄(CZTSe)薄膜における二次相の構造は,依然として,それを太陽電池に応用する上での制限因子である。Raman深さプロファイル調査のための断面積試料を調製する浅い角度の断面積(SACS)試料を用いて,ZnO基板上のセレン化Cu-Zn-Sn前駆体内部における相形成の深さ分解及び温度依存解析を提示した。この方法は,薄膜中に含まれる相についてのより完全な深さ分解情報を達成できるので推奨できる。低温では,予想通り多相構造が現れる。2相が主であるが,少量の3相CTSe及び4相CZTSeが含まれ,既に,250°Cで形成し始める。高セレン化温度では,CZTSeが主相であり,CZTSeとZnO基板間にZnSe界面層が観察された。付け加えると,より長いアニーリング時間後,薄いSnO₂層が見出された。この中間層,特に,数百ナノメータのZnSe層は,スーパーストレイト型太陽電池にCZTSeを適用とする場合に問題となる。将来の目標は,界面層の厚みを減少させる,あるいは,完全に消滅させるセレン化プロセスのパラメータ,主に,アニーリング温度と時間を採用することである。現在,深さ分解Raman研究を行い,基板材料,積層元素層(SEL)積層順序だけでなくアニーリング速度がCZTSSe作製中の相形成に及ぼす影響を調べている。このことは,2次相形成へのより良い理解と太陽電池性能改善のために非常に重要である。

シソーラス用語： *金属薄膜 ,  銅 ,  亜鉛 ,  スズ ,  セレン ,  *相転移 ,  深さ ,  分解能 ,  *温度依存性 ,  X線回折 ,  Raman分光法 ,  走査電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  アニーリング【現象】

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (10件)： ZnO ,  Cu ,  Zn ,  Sn ,  Se ,  相形成 ,  プロセス ,  分解 ,  温度依存 ,  解析