Jia Yifan について
School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an 710071, China について
Lv Hongliang について
School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an 710071, China について
Song Qingwen について
School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an 710071, China について
Song Qingwen について
School of Advanced Materials and Nanotechnology, Xidian University, Xi’an 710071, China について
Tang Xiaoyan について
School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an 710071, China について
Xiao Li について
Zhongxing Telecommunication Equipment Corporation, Shenzhen 518057, China について
Wang Liangyong について
Zhongxing Telecommunication Equipment Corporation, Shenzhen 518057, China について
Tang Guangming について
Zhongxing Telecommunication Equipment Corporation, Shenzhen 518057, China について
Zhang Yimen について
School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an 710071, China について
Zhang Yuming について
School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an 710071, China について
Applied Surface Science について
電荷 について
伝導バンド について
表面準位 について
炭化ケイ素 について
焼なまし について
X線光電子分光法 について
酸化 について
コンダクタンス について
原子間力顕微鏡 について
コンデンサ について
MOSコンデンサ について
界面状態密度 について
界面トラップ について
界面特性 について
4H-SiC について
4H-SiC MOSキャパシタ について
熱酸化温度 について
界面特性 について
効果的な固定誘電電荷 について
近界面トラップ について
界面状態 について
金属-絶縁体-半導体構造 について
酸化物薄膜 について
4H-SiC について
MOSキャパシタ について
界面特性 について
酸化 について