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J-GLOBAL ID：201702245554339423   整理番号：17A0776054

AlNバルク単結晶の湿式エッチングと赤外吸収【Powered by NICT】

Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals

著者 (6件)： Li Weiwei (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhao Youwen (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Dong Zhiyuan (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Yang Jun (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Hu Weijie (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Ke Jianhong (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 30  号： 7  ページ： 27-30  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥と物理気相輸送(PVT)法により成長させたAlN(0001)単結晶の格子完全性を湿式エッチング,X線回折(XRD),および赤外吸収で調べた。約4000cm( 2)の規則的な六角形エッチピット密度(EPD)はAlN単結晶の(0001)A1表面上で観察された。EPDはウルツ鉱型構造の滑り方向に沿って線状アレイ,成長過程における結晶から非常に大きな熱応力を示す。単結晶の半値全幅(FWHM)でのXRDは35arcsecであり,良好な格子完全性を示唆した。波数1790、1850、2000、及び3000cm( 1)で観測した顕著な赤外吸収ピーク。これらの吸収の計算値はAlN単結晶中の不純物O,C,Si及びそれらの錯体に関係している可能性がある。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 熱応力 ,  不純物 ,  エッチピット ,  *窒化アルミニウム ,  FWHM ,  気相 ,  *単結晶 ,  波数 ,  完全性 ,  *エッチング ,  成長段階 ,  *ウェットエッチング ,  X線回折
準シソーラス用語： ウルツ鉱型構造 ,  *赤外吸収 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： AlN ,  PVT ,  エッチング ,  欠陥

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlN ,  バルク ,  単結晶 ,  湿式エッチング ,  赤外吸収