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文献
J-GLOBAL ID:201702245598570000   整理番号:17A1358105

フレキシブル電子デバイスのためのメッシュパターン形成したインジウムすず酸化物を用いた高屈曲性透明電極【Powered by NICT】

Highly bendable transparent electrode using mesh patterned indium tin oxide for flexible electronic devices
著者 (6件):
資料名:
巻: 2017  号: NEMS  ページ: 323-326  発行年: 2017年
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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フレキシブル電子デバイスのためのメッシュパターンを有する非常に可とう性のある透明なインジウムすず酸化物(ITO)電極を開発した。電極は曲がるときのメッシュパターンは亀裂の引張応力と伝搬の効果を減少させた。提案したITO電極はフォトリソグラフィーと湿式エッチング法によるポリエチレンテレフタレート上に作製した。曲げ性は繰返し曲げ試験により調べた。1000回曲げ後のメッシュパターン化されたITO電極の抵抗増加率は平面ITO電極上のそれより約9.18×10~2倍低かった。添加では,明確な亀裂は繰返し曲げ後のメッシュパターン化されたITO電極上に観察されなかった。メッシュパターン化されたITO電極は,液体-ベースの有機発光ダイオード(OLED)に適用した。100回曲げ,エレクトロルミネセンス発光後のメッシュパターン化されたITOの使用は,明らかな損傷なしで確認された。これらの結果は,メッシュパターン化されたITO電極は,フレキシブルな電子機器における影響を与えることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
電気化学反応  ,  有機化合物の薄膜  ,  発光素子 

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