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J-GLOBAL ID：201702245598570000   整理番号：17A1358105

フレキシブル電子デバイスのためのメッシュパターン形成したインジウムすず酸化物を用いた高屈曲性透明電極【Powered by NICT】

Highly bendable transparent electrode using mesh patterned indium tin oxide for flexible electronic devices

著者 (6件)： Sakamoto Kosuke (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Kuwae Hiroyuki (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Kobayashi Naofumi (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Nobori Atsuki (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Shoji Shuichi (Faculty of Science and Engineering, Waseda University, Tokyo, Japan) ,  Mizuno Jun (Research Organization for Nano & Life Innovation, Waseda University, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： NEMS  ページ： 323-326  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フレキシブル電子デバイスのためのメッシュパターンを有する非常に可とう性のある透明なインジウムすず酸化物(ITO)電極を開発した。電極は曲がるときのメッシュパターンは亀裂の引張応力と伝搬の効果を減少させた。提案したITO電極はフォトリソグラフィーと湿式エッチング法によるポリエチレンテレフタレート上に作製した。曲げ性は繰返し曲げ試験により調べた。1000回曲げ後のメッシュパターン化されたITO電極の抵抗増加率は平面ITO電極上のそれより約9.18×10~2倍低かった。添加では,明確な亀裂は繰返し曲げ後のメッシュパターン化されたITO電極上に観察されなかった。メッシュパターン化されたITO電極は,液体-ベースの有機発光ダイオード(OLED)に適用した。100回曲げ,エレクトロルミネセンス発光後のメッシュパターン化されたITOの使用は,明らかな損傷なしで確認された。これらの結果は,メッシュパターン化されたITO電極は,フレキシブルな電子機器における影響を与えることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *インジウム ,  柔軟性 ,  発光 ,  フォトリソグラフィー ,  *酸化スズ ,  曲げ試験 ,  亀裂 ,  ウェットエッチング ,  引張応力 ,  *パターン形成 ,  ポリエチレンテレフタレート ,  *透明電極 ,  エレクトロルミネセンス ,  *電子素子 ,  芳香族ポリエステル
準シソーラス用語： ITO電極 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子デバイス ,  メッシュ ,  パターン形成 ,  インジウムすず酸化物 ,  屈曲性 ,  透明電極