文献

J-GLOBAL ID：201702245727638120   整理番号：17A0007851

Mott絶縁体としての単層1T-NbSe₂

Monolayer 1T-NbSe₂ as a Mott insulator

著者 (11件)： NAKATA Yuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SUGAWARA Katsuaki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SHIMIZU Ryota (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SHIMIZU Ryota (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  OKADA Yoshinori (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HAN Patrick (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HITOSUGI Taro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HITOSUGI Taro (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  UENO Keiji (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  SATO Takafumi (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  TAKAHASHI Takashi (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： NPG Asia Materials (Web)  (NPG Asia Materials (Web))
巻： 8  号： Nov  ページ： WEB ONLY  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： U0883A  ISSN： 1884-4057  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属2カルコゲン化物(TMDs)表面の結晶構造は,結晶欠陥,化学反応,熱的効果に敏感で,その一例としての2H(三角柱型構造)-NbSe₂は,7K以下で非整合電荷密度波と超伝導が共存するという特異性によって広く研究されている。それに対して1T(八面体)-NbSe₂のほうは,バルク,超薄膜のいずれにも合成されていなかった。本研究では,分子線エピタキシと最先端電子分光法によって,1Tと2Hの単相単層NbSe₂をグラフェン上に生成し,異常な電子状態を研究した。その結果,1Tと2Hに電子状態の違いがあり,1T-NbSe₂はエネルギギャップ0.4eVのMott絶縁体であることがわかった。また,1Tと2H相の比率が,基板温度の関数として系統的に変化することもわかった。そして,2Hと1T単相を得るための最適基板温度は,それぞれ500~515°C,580~600°Cであることが示された。

シソーラス用語： *セレン化ニオブ ,  *半導体薄膜 ,  基板 ,  *グラフェン ,  多層 ,  *MBE成長 ,  八面体 ,  *電子状態 ,  エネルギーギャップ ,  *誘電体 ,  *Mott転移 ,  基板温度 ,  *電子構造
準シソーラス用語： 二層グラフェン ,  分子ビームエピタクシー ,  *Mott絶縁体

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

引用文献 (35件)：

• Novoselov, K. S., Geim, A. K., Morozov, S. V., Jiang, D., Katsnelson, M. I., Grigorieva, I. V., Dubonos, S. V. & Firsov, A. A. Two-dimensional gas of massless Dirac fermions in graphene. Nature 438, 197-200 (2005).
• Wang, Q.-Y., Li, Z., Zhang, W.-H., Zhang, Z.-C., Zhang, J.-S., Li, W., Ding, H., Ou, Y.-B., Deng, P., Chang, K., Wen, J., Song, C.-L., He, K., Jia, J.-F., Ji, S.-H., Wang, Y.-Y., Wang, L.-L., Chen, X., Ma, X.-C. & Xue, Q.-K. Interface-induced high-temperature superconductivity in single unit-cell FeSe films on SrTiO₃. Chin. Phys. Lett. 29, 037402 (2012).
• Mermin, N. D. Crystalline order in two dimensions. Phys. Rev. 176, 250-254 (1968).
• Py, M. A. & Haering, R. R. Structural destabilization induced by lithium intercalation in MoS₂ and related compounds. Can. J. Phys. 61, 76-84 (1983).
• Kang, Y., Najmaei, S., Liu, Z., Bao, Y., Wang, Y., Zhu, X., Halas, N. J., Nordlander, P., Ajayan, P. M., Lou, J. & Fang, Z. Plasmonic hot electron induced structural phase transition in a MoS₂ monolayer. Adv. Mater. 26, 6467-6471 (2014).

タイトルに関連する用語 (2件)： Mott絶縁体 ,  単層