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J-GLOBAL ID：201702245755333334   整理番号：17A1645794

短チャネル対称二重ゲートオールアラウンド(DGAA)電界効果トランジスタの解析的サブしきい値電流モデル【Powered by NICT】

An analytical subthreshold current model of short-channel symmetrical double gate-all-around (DGAA) field-effect-transistors

著者 (4件)： Bhushan Shiv (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Patna, Bihta, Patna-801103 India) ,  Kumar Arun (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Patna, Bihta, Patna-801103 India) ,  Gola Deepti (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Patna, Bihta, Patna-801103 India) ,  Tiwari Pramod Kumar (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Patna, Bihta, Patna-801103 India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： DevIC  ページ： 211-215  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 短チャネル対称二重ゲートオールアラウンド(DGAA)電界効果トランジスタのために提案された解析的サブしきい値電流モデル。Pao-Sahの二重積分法を用いて,デバイスのサブスレッショルド電流を定式化した。Boltzmann関係を反転電荷濃度を計算するために利用されている。本モデルは,ゲート長変動,Si膜厚変化,酸化膜厚変動とコアチャネル厚さ変動の影響を組み込んでいる。提案したモデルは,モデルの結果を比較して3Dデバイスシミュレータ結果とにより検証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 膜厚 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *対称性 ,  積分 ,  *電流 ,  ケイ素 ,  定式化 ,  電荷 ,  三次元
準シソーラス用語： デバイスシミュレータ ,  ゲート長 ,  サブ閾値 ,  *閾値電流 ,  *ゲートオールアラウンド ,  *短チャネル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 短チャネル ,  対称 ,  ゲートオールアラウンド ,  電界効果トランジスタ ,  解析 ,  サブ ,  しきい値電流 ,  モデル