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J-GLOBAL ID：201702245864600937   整理番号：17A1546645

段容量-電圧とコンダクタンス-電圧プロファイルによるシリコン(111)上のAlGaN/InGaNヘテロ界面におけるプロービングInGaN不混和性【Powered by NICT】

Probing InGaN immiscibility at AlGaN/InGaN heterointerface on silicon (111) through two-step capacitance-voltage and conductance-voltage profiles

著者 (4件)： Bag Ankush (School of Computing and Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Mandi 175005, India) ,  Majumdar Shubhankar (Advanced Technology Development Centre, Indian Institute of Technology, Kharagpur 721302, India) ,  Das Subhashis (School of Computing and Electrical Engineering, Indian Institute of Technology, Mandi 175005, India) ,  Biswas Dhrubes (Advanced Technology Development Centre, Indian Institute of Technology, Kharagpur 721302, India)
資料名： Materials & Design  (Materials & Design)
巻： 133  ページ： 176-185  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0495B  ISSN： 0264-1275  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaNの非混和性高品質AlGaN/InGaNヘテロ接合のエピタキシャル成長,高速デバイスの観点からAlGaN/GaNよりも優れた性能を持つことを妨げている。AlGaN/InGaN/GaN二重ヘテロ構造を,プラズマ支援分子ビームエピタクシーを用いてシリコン(111)基板上に成長させた。各試料のすべての成長条件は,InGaNのチャネル厚さを除いて同一に保った。合金不均一性は高分解能(HR)X線回折(XRD)および断面HR透過型電子顕微鏡(TEM)によるInGaNチャネル内で起きることが分かった。合金のこの不均一性はチャネル厚さに沿った薄いInN二元合金の減少と共に減少したインジウム取り込みを引き起こす。容量-電圧(C V)プロファイルは,バンドオフセットとキャリア閉じ込めの変化に起因するチャネルにおけるInNの合金と空間位置の不均一性を明らかにした。非在来型2段プロファイルは,ヘテロ構造が得られた。近零バイアスでのより高い静電容量は大きなバンドオフセットによるAlGaN/InGaNでInNの形成を確証した。コンダクタンス-電圧(G V)プロファイルは,キャリア捕獲の観点からInGaN相分離のマッピングを検証した。トラッピングの効果は,界面での低いバンドギャップInN形成により同定されている。相分離に及ぼすエピ層緩和の影響も貫通転位とV欠陥の点から議論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バンドギャップ ,  相分離 ,  透過型電子顕微鏡 ,  MBE成長 ,  緩和現象 ,  不均一性 ,  *窒化ガリウム ,  *電圧 ,  *界面 ,  チャネル ,  X線回折 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *InGaN ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： PAMBE ,  合金不均一性 ,  二重ヘテロ構造 ,  HR-TEM ,  HR-XRD ,  CV ,  GV

分類 (1件)： 機械的性質  (WB02030U)

タイトルに関連する用語 (7件)： コンダクタンス ,  電圧プロファイル ,  シリコン ,  AlGaN ,  InGaN ,  ヘテロ界面 ,  不混和