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J-GLOBAL ID：201702245943420740   整理番号：17A0468082

フラッシュ蒸発法を使ったSn_1-xFe_xO₂薄膜の構造的,光学的性質および室温強磁性特性

Structural, optical and room temperature ferromagnetic properties of Sn_1-xFe_xO₂ thin films using flash evaporation technique

著者 (6件)： KUPPAN M. (VIT Univ., Tamilnadu, IND) ,  KALEEMULLA S. (VIT Univ., Tamilnadu, IND) ,  MADHUSUDHANARAO N. (VIT Univ., Tamilnadu, IND) ,  KRISHNAMOORTHI C. (VIT Univ., Tamilnadu, IND) ,  OMKARAM I. (Kyung Hee Univ., Gyeonggi-do, KOR) ,  SREEKANTHAREDDY D. (Sungkyunkwan Univ., Suwan, KOR)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 3  ページ： 2976-2983  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 鉄ドーピングスズ酸化物薄膜(Sn_1-xFe_xO₂,x=0.00,0.03,0.05,0.07,0.10,0.15)をフラッシュ蒸発法を使ってガラス基板に製作し,合成した薄膜の構造的,光学的および磁気的性質に及ぼす鉄ドーピングの影響を調査した。X線回折パターンから,Sn_1-xFe_xO₂薄膜が正方晶系構造をもつ多結晶であることがわかった。少量の遷移金属イオンのドーピングによる非磁性半導体の磁性半導体への変換は,希釈磁性半導体(DMS)と呼ばれている。純粋のSnO₂薄膜は反磁性を示すが,一方でSn_1-xFe_xO₂薄膜は室温で強磁性を示した。X=0.07のSn_1-xFe_xO₂薄膜の飽和磁化と保磁力はそれぞれ,13.06emu/cm²と114.98Gであることがわかった。

シソーラス用語： フラッシュ蒸発 ,  酸化スズ ,  鉄化合物 ,  スズ化合物 ,  酸化物 ,  強磁性 ,  光学的性質 ,  構造特性 ,  薄膜 ,  ドーピング ,  鉄 ,  X線回折 ,  正方晶系 ,  多結晶 ,  反磁性 ,  *磁性半導体 ,  飽和磁化 ,  保磁力
準シソーラス用語： 室温強磁性 ,  酸化物薄膜 ,  希釈磁性半導体

分類 (1件)： 磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (4件)： フラッシュ蒸発 ,  薄膜 ,  光学的性質 ,  室温強磁性