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J-GLOBAL ID：201702245996329214   整理番号：17A0470327

GaNの合成と性質:高周波マグネトロンスパッタエピタクシーで成長させたAl層【Powered by NICT】

Preparation and properties of GaN:Al layers grown by radio-frequency magnetron sputter epitaxy

著者 (2件)： Shinoda Hiroyuki (Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Tokyo Denki University, 5 Senju Asahi-cho, Adachi-ku, Tokyo 120-8551, Japan) ,  Mutsukura Nobuki (Department of Electrical and Electronic Engineering, School of Engineering, Tokyo Denki University, 5 Senju Asahi-cho, Adachi-ku, Tokyo 120-8551, Japan)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 138  ページ： 87-92  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaリッチAl_Ga_1N(x ≪ 0.01)(GaN:Al)単結晶層はN_2/Arガスと6グレードAlGa合金ターゲットを用いた高周波マグネトロンスパッターエピタクシーにより成長させた。Al_0 6Ga_0 4合金をターゲットとして用いた場合,AlGaN層中のAlモル分率は基板温度の上昇と共に増加した;>1000°Cの温度では,AlGaターゲットのAlモル分率の60%以上に増加した。Al_0 1Ga_0 9合金ターゲットでは,AlGaN層中のAlモル分率は,ターゲット材料のAlモル分率の10%以下であった。GaN層と同様に,GaN:Al層はAl_0 1Ga_0 9ターゲットを用いたN_2/Ar雰囲気ガス中で900°Cと3 12%N_2組成比で成長させることができた。6%N_2で成長させたGaN:Al層のX線ロッキング曲線(XRC)の半値全幅(FWHM)値における全幅,GaN内の高度にc軸配向した柱状ドメインと無秩序構造の28と368アークセックであった:(0002)面のAl層であった。10%N_2で成長させたGaN:Al層のFWHM(XRC)は無秩序構造および/または部分的に緩和した部分の600と1320arcsecであった。貫通転位密度はN_2組成比に依存した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： アルゴン ,  *HF【周波数】 ,  FWHM ,  X線回折 ,  *アルミニウム ,  モル分率 ,  透過型電子顕微鏡 ,  X線 ,  単結晶 ,  基板温度 ,  *窒化ガリウム ,  ロッキングカーブ ,  貫通転位
準シソーラス用語： 秩序構造 ,  窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaN ,  スパッタエピタキシー ,  X線回折 ,  透過電子顕微鏡

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  性質 ,  高周波 ,  成長 ,  Al層