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J-GLOBAL ID：201702246148160071   整理番号：17A1272726

600Vノーマリオフ込p-ゲートGaNH EMTに基づく3レベルインバータ【Powered by NICT】

600 V normally-off p-gate GaN HEMT based 3-level inverter

著者 (2件)： Gurpinar Emre (Power Electronics, Machines and Control Group, University of Nottingham, UK) ,  Castellazzi Alberto (Power Electronics, Machines and Control Group, University of Nottingham, UK)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IFEEC 2017 - ECCE Asia  ページ： 621-626  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,完全GaNH EMTに基づくアクティブ中性点クランプ(ANPC)インバータの開発を提案した。主目的はシステムレベル効率,出力密度および信頼性に対するそのようなデバイス技術の使用の利点を調べることである。インバータトポロジーとデバイス特性,静的および動的特性化を導入することにより開始し,広範な実験的および解析的特性化の結果を提示し,議論を続けている。の知見は,GaNトランジスタの応用は,従来にない高い性能値を可能にし,ヒートシンクサイズを有意に減少させ,非常に高いスイッチング周波数で動作する同じ時間で可能性のあることを明確に示し,負荷電流フリーホイーリングを確実にするためにトランジスタの双方向電流伝導能力に依存する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  信頼性 ,  トランジスタ ,  キャラクタリゼーション ,  *窒化ガリウム
準シソーラス用語： 負荷電流 ,  スイッチング周波数 ,  デバイス特性 ,  出力密度 ,  中性点クランプ ,  *3 レベルインバータ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： ゲート ,  EMT ,  3レベルインバータ