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J-GLOBAL ID：201702246170801827   整理番号：17A0626163

原子層堆積法により作製された,Zn-Al-O界面を有するZnO膜中の酸素空孔による,AlドープZnOに基づく可撓性透明薄膜トランジスタの高性能化

Enhanced Performance in Al-Doped ZnO Based Transparent Flexible Transparent Thin-Film Transistors Due to Oxygen Vacancy in ZnO Film with Zn-Al-O Interfaces Fabricated by Atomic Layer Deposition

著者 (7件)： LI Yang (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN) ,  YAO Rui (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN) ,  WANG Huanhuan (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN) ,  WU Xiaoming (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN) ,  WU Jinzhu (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN) ,  WU Xiaohong (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN) ,  QIN Wei (Harbin Inst. of Technol., Harbin, CHN)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 13  ページ： 11711-11720  発行年： 2017年04月05日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能透明導電性酸化物(TCO)に対するますます増加する需要は,スマートウィンドウ,有機発光ダイオード(OLED),透明薄膜トランジスタ(TFT),およびソリッドステート照明産業のような,多様なオプトエレクトロニクス用途に支えられている。本研究では,Zn-Al-O界面を有する一連のZnO薄膜の構造設計,化学的特徴付け,および電気的特性を提示する。そして,優れた導電性を有する透明なAZO膜のためのZn-Al-O界面を有するALD ZnO膜の独自の成長概念を開発した。AZO膜の抵抗率とキャリア濃度は,低温(約150°C)で,5.7X10^-4Ω・cmおよび2X10²¹cm^-3である。このAZO電極上に作製された完全に透明なフレキシブルトランジスタは,約1.5Vの閾値電圧(V_th),10⁷以上の I_on/I_off比,および約2cm²V^-1s^-1のμ_satを示した。さらに,このTFTデバイスでは400-700nmの波長範囲で,80%以上の透過率が観察された。

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *酸化亜鉛 ,  *空格子点 ,  柔軟性 ,  *膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  電気抵抗率 ,  透過率
準シソーラス用語： *原子層堆積 ,  *AZO ,  酸素空孔 ,  可撓性 ,  *透明膜 ,  抵抗率

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (11件)： 原子層堆積法 ,  作製 ,  Zn ,  Al ,  界面 ,  ZnO ,  酸素空孔 ,  AlドープZnO ,  可撓性 ,  薄膜トランジスタ ,  高性能化