抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
シミュレーションプログラムのバージョン,電子ビームの入射視射角の関数におけるRHEED振動の強度の変化の計算を提示した,3C-SiC表面上に核形成した六方晶(0001)GaN膜のヘテロエピタキシャル構造,表面に平行な層を介して種々の散漫散乱モデルの存在の可能性を含む散乱結晶ポテンシャルの種々のモデルを用いた。プログラムのタイトル:RHEED_DIFF_Zプログラムファイルdoi:http://dx.doi.org/10.17632/52nxmwzkxx.1認可条項:使用したGNUの一般的な公共のライセンス3プログラミング言語C++ジャーナル基準以前のバージョンの計算機物理通信207(2016)536 538は新バージョンは旧バージョンに取って代わるその。以前のバージョンに追加された。新バージョンの理由:ユーザのフィードバックに応答する,シミュレーションプログラムの構築,RHEEDロッキングカーブの強度変化の計算を容易にし,3C-SiC(111)表面上に核形成した六方晶(0001)GaN膜のヘテロエピタキシャル構造のための散乱結晶ポテンシャルの種々のモデルを用いての実際的な手順を示した。問題:SiC上のGaN層の成長の性質は,潜在的な電子デバイスへの応用のために重要である。炭化ケイ素は,多数の異なる修飾,いわゆるポリタイプ[1]で結晶化した。それらの中で,六方晶構造4H-SiCと6H-SiCのみを徹底的に研究した立方晶3C-SiCポリタイプは技術開発の遅れている。3C-SiCは閃亜鉛鉱型結晶構造を有し,結晶中の全ての二分子層の同一配向で特徴づけられ,原子配置は,この結晶構造()をc軸に沿って各三層を反復した。この理由のために,3C-SiCは高い対称性に起因するフォノン散乱を低減することにより高電子移動度と飽和速度を有していた。GaN(0001),及び3C-SiC(111)の間の格子不整合は約3.3%であり,GaN(0001)とSi(111)[2]の間の不整合よりも小さかった。3C-SiC上のGaNの結晶成長に関する研究の進歩は,このヘテロ構造に関連したデバイス開発のための重要な問題である。研究者と技術者製造二次元ヘテロ構造はしばしばRHEEDロッキングカーブを用いて精度の原子レベルでの試料の成長を制御した。そのような研究の基本的な科学的問題は,それに続く層のための界面型と成長機構の両方を特定することである。解法:RHEED強度は参考文献に記載されている一般的フレームワーク内で計算した。[2]および[3]。改訂の要約:プログラムのバージョンを示し散乱ポテンシャルGaN(0001)/3C-SiC(111)と高エネルギー電子に対する時間に依存しないSchroedinger方程式を解くためのの自己無撞着計算元のアルゴリズムを実装した。すれすれ角の関数における鏡面ビームの強度の変化の数値計算中に,入射ビーム方向の方位を,1ビーム条件に対応することを仮定した,電子エネルギーは10keVに等しい,視射角は理想的なSiC/GaN界面[4]のモデルと0。5°から6 5°およびαパラメータの値=0であった。散乱ポテンシャルのMODEL3 1および0であった。5[3]に増加した。参照[1]G.R.FisherおよびP.Barnes,Phil.Mag。B61(2)(1990)217 236。[2]A.Daniluk,Comput.Phys.Commun.207(2016)536 538。[3]A.Daniluk,Comput.Phys.Commun.185(2014)3001 3009。[4]H.Morkoc,窒化物半導体とデバイスハンドブック第1巻:材料特性,物理と成長,Wiley VCH2008。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
