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J-GLOBAL ID：201702246315247296   整理番号：17A0214278

Cu/Al_2O_3ベースCBRAMデバイスの保持特性に及ぼす繊維形態の影響【Powered by NICT】

Impact of the filament morphology on the retention characteristics of Cu/Al₂O₃-based CBRAM devices

著者 (6件)： Ota K. (Toshiba Corp. assigned at imec) ,  Belmonte A. (Hmec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Chen Z. (Hmec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Redolfi A. (Hmec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Goux L. (Hmec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Kar G. S. (Hmec, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 21.2.1-21.2.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,導電性フィラメントの形態はCBRAMデバイスのデータ保持特性を制御する鍵となるパラメータであることを示した。特に,LRSとH RS分布の変化はフィラメント形状に定量的に関連することを証明したが,それはCBRAMスタックを構成する材料によって定量的に影響され,最適保持性能を可能にするための解決策として特異な砂時計フィラメント形状を提案した。保持に及ぼすサイクルの影響のさらなる分析は,CBRAMデータ保持傾向におけるフィラメント形態の重要な役割を確認した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： フィラメント ,  *アルミニウム ,  保持容量 ,  *銅 ,  導電性フィラメント

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： Cu ,  CBRAM ,  保持特性 ,  繊維 ,  形態