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J-GLOBAL ID：201702246385494076   整理番号：17A0855049

TMA前処理したSi基板上にプラズマ増強原子層蒸着した白金薄膜【Powered by NICT】

Plasma enhanced atomic layer deposited platinum thin film on Si substrate with TMA pretreatment

著者 (9件)： Shi Mao-Lin (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Xu Jing (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Dai Ya-Wei (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Cao Qian (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Chen Lin (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Sun Qing-Qing (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Zhou Peng (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Ding Shi-Jin (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China) ,  Zhang David Wei (State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 140  ページ： 139-143  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 良好なエッチングとパターン形成可能性と優れた電気的性質により,白金シリサイドは最近,次世代相補金属-酸化物-半導体(CMOS)技術のための適切な候補として新たな注目を集めている。本研究では,前駆体として(メチルシクロペンタジエンイル)-トリメチル白金(MeCpPtMe_3)とアンモニアプラズマを用いてシリコン基板上にプラズマ増強原子層堆積(PEALD)白金の成長(Pt)膜上にトリメチルアルミニウム(TMA)前処理の効果に焦点を当てた。PEALD Ptの潜伏期間はTMA前処理により短縮し,飽和成長速度は0.21Å/サイクルに達した。X線回折は堆積したままの膜は(111)面に沿って強く優先配向していることを示した。堆積したPt膜の電気抵抗率は15μΩcmに近づくことができる。最後に,最適化されたPEALD Ptプロセスを提唱した。著者らの研究は,Si基板上の高品質Pt薄膜の製造のための効果的な戦略を提供する。所見が進められているCMOSソースとドレイン技術に使用される,よく定義されたシリサイド膜を得るために重要である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： CMOS ,  優先配向 ,  ケイ化物 ,  *前処理 ,  パターン形成 ,  電気抵抗率 ,  酸化物 ,  成長速度 ,  電気的性質 ,  *プラズマ ,  X線回折 ,  *白金 ,  *薄膜
準シソーラス用語： 高品質 ,  *シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 白金 ,  PEALD ,  TMA前処理

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： TMA ,  前処理 ,  Si基板 ,  プラズマ ,  増強 ,  原子層蒸着 ,  白金薄膜