Shi Mao-Lin について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China について
Xu Jing について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China について
Dai Ya-Wei について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China について
Cao Qian について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China について
Chen Lin について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China について
Sun Qing-Qing について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China について
Zhou Peng について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China について
Ding Shi-Jin について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China について
Zhang David Wei について
State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan University, Shanghai 200433, China について
Vacuum について
CMOS について
優先配向 について
ケイ化物 について
前処理 について
パターン形成 について
電気抵抗率 について
酸化物 について
成長速度 について
電気的性質 について
プラズマ について
X線回折 について
白金 について
薄膜 について
高品質 について
シリコンウエハ について
酸化物薄膜 について
その他の無機化合物の薄膜 について
TMA について
前処理 について
Si基板 について
プラズマ について
増強 について
原子層蒸着 について
白金薄膜 について