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J-GLOBAL ID：201702246509452590   整理番号：17A1046930

BGA Sn3.0Ag0.5Cuはんだ相互接続におけるエレクトロマイグレーション挙動に及ぼすβ-Sn粒子c軸の影響

Effects of β-Sn grain c-axis on electromigration behavior in BGA Sn3.0Ag0.5Cu solder interconnects

著者 (3件)： TIAN Yu (Beijing Univ. Technol., Beijing, CHN) ,  HAN Jing (Beijing Univ. Technol., Beijing, CHN) ,  GUO Fu (Beijing Univ. Technol., Beijing, CHN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 15  ページ： 10785-10793  発行年： 2017年08月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： β-Sn粒子の異方性は,Sn3.0Ag0.5Cu(SAC305)はんだ相互接続におけるエレクトロマイグレーション(EM)挙動に大きな影響を及ぼす可能性がある。それを調べるために,直線はんだ相互接続及びはんだバンプよりも実際に意味があるボールグリッドアレイ(BGA)部品を用いた。その結果,β-Sn粒子c軸の方向が,SAC305はんだ相互接続におけるはんだマトリックスの微細構造及びEM挙動に大きな影響を与えることが分る。Sn粒子のc軸方向が,NDの正方向に向いているとはんだマトリックス中の金属間化合物(IMC)は,内部のはんだマトリックスから外に成長し断面積表面に集まった。Sn粒子のc軸が,NDの反対方向に向いているとIMCは,はんだ相互接続の断面積表面で消滅した。従って,はんだ接合におけるエレクトロマイグレーション挙動は,c軸と電流間の角度のみによっては決定されなかった。Sn粒子のc軸方向は,はんだマトリックス中の内部IMCの成長方向を決める重要な因子であった。

シソーラス用語： *はんだ ,  *相互接続 ,  *エレクトロマイグレーション ,  ICパッケージ ,  スズ合金 ,  銀合金 ,  銅合金 ,  電磁波透過 ,  X線 ,  微細構造 ,  電子回折 ,  後方散乱 ,  拡散係数 ,  異方性 ,  金属間化合物
準シソーラス用語： BGA ,  EBSD ,  X線透過

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： BGA ,  はんだ ,  相互接続 ,  エレクトロマイグレーション ,  挙動 ,  C軸