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J-GLOBAL ID：201702246655987791   整理番号：17A0832778

大面積ハイブリッド光-リチウムニオブ酸導波路マイクロチップのための不均一材料スタックの熱応力の低減【Powered by NICT】

Reducing the thermal stress in a heterogeneous material stack for large-area hybrid optical silicon-lithium niobate waveguide micro-chips

著者 (2件)： Weigel P.O. (Electrical & Computer Engineering, University of California, San Diego, La Jolla, CA, 92093, USA) ,  Mookherjea S. (Electrical & Computer Engineering, University of California, San Diego, La Jolla, CA, 92093, USA)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 66  ページ： 605-610  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ニオブ酸リチウム・オン・インシュレータ(LNOI)へのシリコン-オン-インシュレータ(SOI)の結合は新しいカテゴリー線形および非線形マイクロフォトニック光デバイスの重要になってきている。ベンゾシクロブテン(BCB),ハイブリッドシリコンフォトニックデバイスで使用される一般的な層間結合誘電体を通してのLNOI SOIの結合の研究において,筆者らは熱応力計算を用いてBCBの厚さはこの種の構造に於ける熱応力に影響を与えないことを示唆し,その代わりに,熱応力はSOIとLNOIのハンドルを整合させることにより十分に緩和することができる。シリコンチップにシリコンハンドルを有するLNOIを結合し,LNOI側にハンドルを除去し,熱的に300°Cまで室温から繰り返し結合スタックをサイクルと熱応力亀裂,ニオブ酸リチウムハンドルを有するLNOIを用いた場合には出現しを被ることなくダウンバック,BCBの厚さに関係なく。はこのプロセスは大面積(16 mm × 4.2 mm)ニオブ酸リチウム膜に結合した単一パターン化したSOIチップ上の多くのハイブリッドシリコン-リチウムニオブ酸導波路構造を作製するために使用できることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 誘電体 ,  絶縁材料 ,  *ニオブ酸 ,  パターン形成 ,  線形性 ,  *導波路 ,  舵取ハンドル ,  *熱応力 ,  薄膜 ,  光学素子 ,  ニオブ酸リチウム ,  絶縁体
準シソーラス用語： シリコンチップ ,  層間結合 ,  *マイクロチップ ,  *大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 薄膜 ,  熱応力 ,  ニオブ酸リチウム ,  ハイブリッド光導波路

分類 (4件)： 光デバイス一般  (BD06010L) ,  固体レーザ  (BD04080W) ,  発光素子  (NC03082G) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (8件)： 大面積 ,  リチウム ,  ニオブ酸 ,  導波路 ,  マイクロチップ ,  不均一材料 ,  スタック ,  熱応力