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J-GLOBAL ID：201702246759109408   整理番号：17A0575278

有機金属アプローチによるトランジスタ技術向けの低温湿式コンフォーマルニッケルシリサイド堆積

Low-Temperature Wet Conformal Nickel Silicide Deposition for Transistor Technology through an Organometallic Approach

著者 (14件)： LIN Tsung-Han (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  MARGOSSIAN Tigran (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  DE MARCHI Michele (EPF Lausanne, Lausanne, CHE) ,  THAMMASACK Maxime (EPF Lausanne, Lausanne, CHE) ,  ZEMLYANOV Dmitry (Purdue Univ., Indiana, USA) ,  KUMAR Sudhir (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  JEGIELSKI Jakub (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  ZHENG Li-Qing (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  SHIH Chih-Jen (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  ZENOBI Renato (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  DE MICHELI Giovanni (EPF Lausanne, Lausanne, CHE) ,  BAUDOUIN David (ETH Zuerich, Zuerich, CHE) ,  GAILLARDON Pierre-Emmanuel (Univ. Utah, Utah, USA) ,  COPERET Christophe (ETH Zuerich, Zuerich, CHE)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 9  号： 5  ページ： 4948-4955  発行年： 2017年02月08日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 40年以上にわたり,半導体デバイスの微細化には,1cm²当たりのトランジスタの量を増加させ,最新のトランジスタ技術のゲート長が14nmになる,集積回路の性能を向上させるための多くの研究努力がなされてきた。本研究では,競合するショットキー障壁と抵抗率を有するSiウェーハ上にNiSi₂層を堆積するためのワンポット化学的アプローチが開発された。このNiSi₂層は,2つのステップで形成された:(1)低温(ここでは55°C)でウエハ表面にNi(COD)₂とSiH₄との反応時に均一なニッケルシリサイド層が形成され,続いて(2)700°CでH₂下での後処理を行い,XPSおよびXAS分析によりNiSi₂層を確認した。この後処理は有機残留物を除去し,0.41eVの低いショットキー障壁と170μΩ・cmの抵抗率を可能にした。

シソーラス用語： *有機化学 ,  *処理 ,  *ケイ化物 ,  *Schottky障壁 ,  *電気抵抗率 ,  X線光電子分光法 ,  X線吸収分光法
準シソーラス用語： *有機金属化学 ,  *湿式処理 ,  *ニッケルシリサイド

分類 (3件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 有機金属 ,  トランジスタ ,  低温 ,  堆積