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J-GLOBAL ID：201702246851691836   整理番号：17A0513617

265nmで発光する大面積AlNナノフォトニック光抽出構造を用いた150mW深紫外発光ダイオード

150 mW deep-ultraviolet light-emitting diodes with large-area AlN nanophotonic light-extraction structure emitting at 265 nm

著者 (3件)： Inoue Shin-ichiro (Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology (NICT), Kobe, Hyogo 651-2492, Japan) ,  Tamari Naoki (Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology (NICT), Kobe, Hyogo 651-2492, Japan) ,  Taniguchi Manabu (Advanced ICT Research Institute, National Institute of Information and Communications Technology (NICT), Kobe, Hyogo 651-2492, Japan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 110  号： 14  ページ： 141106-141106-5  発行年： 2017年04月03日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 工学 ,  効率 ,  窒化アルミニウム ,  化合物半導体 ,  *発光ダイオード ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  リソグラフィー ,  *深紫外発光ダイオード ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： ナノフォトニクス ,  光抽出効率 ,  *AlGaN ,  ナノインプリントリソグラフィー

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 大面積 ,  AlN ,  深紫外発光ダイオード