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J-GLOBAL ID:201702246864372013   整理番号:17A1267823

遠赤外光検出器のためのPb_1 xSn_xTe:Inの薄膜に基づく平面障壁構造:調製と性質【Powered by NICT】

Planar barrier structures based on thin films of Pb1-xSnxTe:In for the far IR photodetector: Preparation and properties
著者 (6件):
資料名:
巻: 2017  号: EDM  ページ: 30-33  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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Pb_1 xSn_xTe:Inの薄膜に基づく平面パターン(p~+ i p~+, p~+ i n~+)の製造法について述べた。液体ヘリウム温度での定常と過渡光伝導率の実験的測定はp~+i-p~+構造に対してのみ表現した。バイアス電圧に依存して光電流緩和特性の動力学と基礎吸収領域における光の持続時間の研究の実験結果を示した。光電流の緩和は2~5000/sの範囲で時定数を持つ指数関数の和で記述できることを示した。高レベルと長時間照明における光電流の自励振動の発生ことが分かった。観察された効果の可能な機構を議論した。結果は,空間電荷モデルにより制限された注入電流の観点から解析した。電荷キャリアのためのいくつかの捕獲中心の存在を考慮した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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振動の励起・発生・測定 

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