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J-GLOBAL ID：201702246869643604   整理番号：17A1020070

太陽電池のための多結晶シリコンインゴットにおける最適化された核形成制御に向けて【Powered by NICT】

Towards optimized nucleation control in multicrystalline silicon ingot for solar cells

著者 (5件)： Anandha Babu G. (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Anandha Babu G. (Department of Physics, SSN College of Engineering, Kalavakkam 603110, Tamilnadu, India) ,  Takahashi Isao (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Muramatsu Tetsurou (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan) ,  Usami Noritaka (Graduate School of Engineering, Nagoya University, Nagoya 464-8603, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 468  ページ： 620-624  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化けい素で被覆した単層シリコンビーズ(SLSB)とチャンク(SLSC)をシード層として用いられる高品質多結晶シリコン(mc Si)インゴットを成長させた。mc-Siインゴットをシード層として<1mmから4mmまでの範囲のSiビーズとチャンクの様々なサイズを用いて成長させた。結晶粒サイズ,結晶粒方位と粒界密度はインゴット高さにわたって分析した。SLSBとSLSC播種したmc-Siウエハは,従来のmc-Siウエハと比較してランダム粒界の均一な小結晶粒,よりランダムに配向した結晶粒と高い密度を持つことが分かった。転位クラスタの密度は従来のmc-SiウエハよりもSLSBとSLSC播種したmc-Siウエハで有意に低かった。SLSBとSLSC播種したmc-Siウエハ中の転位クラスタ還元に関与する理由は,粒径の差とランダム粒界の密度に基づいて議論した。しかし,転位クラスタの密度はSLSB播種したmc-SiウエハよりもSLSC播種したmc-Siウエハでわずかに高かった。押込効果とSiの不規則な形状はSLSC mc-Siウエハ中の転位発生および/または増殖を説明する不均一応力を引き起こすchunks。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ケイ素 ,  *最適化 ,  結晶粒界 ,  *太陽電池 ,  粒状材 ,  *核形成 ,  クラスタ ,  *ポリシリコン ,  結晶粒径 ,  窒化ケイ素 ,  *インゴット ,  結晶粒 ,  単一層
準シソーラス用語： シリコン太陽電池 ,  シード層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1方向性凝固 ,  A1欠陥 ,  A2融液からの成長 ,  A2工業晶析 ,  B2半導体シリコン ,  B3太陽電池

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 太陽電池 ,  多結晶シリコン ,  インゴット ,  最適化 ,  核形成