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J-GLOBAL ID：201702246911530190   整理番号：17A1421020

相転移VO_2膜を有する層状型デバイスのための底部電極としてのTiNとTiN/Tiの比較研究【Powered by NICT】

Comparative study of TiN and TiN/Ti as bottom electrodes for layered type devices with phase transition VO₂ films

著者 (3件)： Mian Md. Suruz (Department of Prime Mover Engineering, Tokai University, 4-1-1 Kitakaname, Hiratsuka, Kanagawa 259-1292, Japan) ,  Okimura Kunio (Department of Electrical and Electronic Engineering, Tokai University, 4-1-1 Kitakaname, Hiratsuka, Kanagawa 259-1292, Japan) ,  Kohzaki Masao (Department of Mechanical Engineering, Tokai University, 4-1-1 Kitakaname, Hiratsuka, Kanagawa 259-1292, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 636  ページ： 63-69  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si基板上に成長させたDCスパッタTiNとTiN/Ti導電層は相転移VO_2~ベース層状型デバイスを実現する目的で底部電極として調べた。両層上に250°Cの基板温度で作製したVO_2膜は,面外方向の抵抗の大きさ変化の二桁以上を示すことが明らかになった。しかし,TiN層の酸化は400°CでVO_2/TiN/Si構造の場合におけるVO_2膜の面外半導体-金属転移(SMT)を分解することが分かった。一方,同じ温度でTiN/Ti/Si基板上に堆積したVO_2膜は急激な面外SMT,TiN層の酸化は観察されなかったを示した。をX線光電子分光法(XPS)深さプロファイルで発見されたTi層はTiNの酸化を回避するための不可欠な役割を果たし,酸素に対するその高いゲッタリング効果に起因することをした。今回の結果は,高い抗酸化能を有する底面電極としてTiN/Ti層を導入することの利点を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線光電子分光法 ,  ゲッタリング ,  深さプロフィル ,  *相転移 ,  基板温度 ,  *チタン ,  酸化 ,  金属-半導体転移 ,  酸素
準シソーラス用語： 抗酸化能 ,  導電層 ,  シリコンウエハ ,  *窒化チタン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 二酸化バナジウム ,  層状装置 ,  窒化チタン ,  酸化 ,  X線光電子分光法

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 相転移 ,  層状 ,  TiN ,  Ti ,  研究