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J-GLOBAL ID：201702247054566613   整理番号：17A1017558

多重レベルの抵抗スイッチング特性があるHfO₂/HfO_2-x二層構造に対する電子ホログラフィー

Electron holography on HfO₂/HfO_2-x bilayer structures with multilevel resistive switching properties

著者 (15件)： NIU G (Xi’an Jiaotong Univ., Xi’an, CHN) ,  NIU G (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  SCHUBERT M A (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  SHARATH S U (Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU) ,  ZAUMSEIL P (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  VOGEL S (Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU) ,  WENGER C (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  HILDEBRANDT E (Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU) ,  BHUPATHI S (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  PEREZ E (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  ALFF L (Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU) ,  LEHMANN M (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  SCHROEDER T (IHP, Frankfurt (Oder), DEU) ,  SCHROEDER T (BTU Cottbus-Senftenberg, Cottbus, DEU) ,  NIERMANN T (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 21  ページ： 215702,1-7  発行年： 2017年05月26日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO₂系抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)素子の抵抗スイッチングを起こす酸素が欠損した導電性フィラメント(CF)の性質を明らかにするのは,酸素空格子点が関係する欠陥の性質とCFがナノメートルサイズであるため難しい。本研究では,反応性分子ビームエピタクシーにより成長したHfO₂/HfO_2-x二層ヘテロ構造に透過電子顕微鏡電子ホログラフィーとエネルギー分散X線分光法を適用し,直接t可視化する方法で調べた。単層の素子と比較して,Pt/HfO₂/HfO_2-x/TiN二層素子は,多重レベル挙動がある増強した抵抗スイッチング特性を見せた。

シソーラス用語： スイッチング ,  RAM【メモリ】 ,  フィラメント ,  *酸化ハフニウム ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  *ホログラフィー ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *RRAM ,  窒化チタン ,  *抵抗スイッチング ,  抵抗ランダムアクセスメモリ ,  *電子ホログラフィー ,  *導電性フィラメント

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多重 ,  スイッチング特性 ,  HfO2 ,  層構造 ,  電子ホログラフィー