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J-GLOBAL ID：201702247142869950   整理番号：17A0468073

化学浴析出法により合成された鉛硫黄セレン化物(PbS_1-xSe_x)薄膜のバンドギャップ工学

Band gap engineering in lead sulphur selenide (PbS_1-x Se_x ) thin films synthesized by chemical bath deposition method

著者 (4件)： HONE Fekadu Gashaw (Hawassa Univ., Hawassa, ETH) ,  AMPONG Francis Kofi (Kwame Nkrumah Univ. Sci. and Technol., Kumasi, GHA) ,  NKUM Robert Kwame (Kwame Nkrumah Univ. Sci. and Technol., Kumasi, GHA) ,  BOAKYE Francis (Kwame Nkrumah Univ. Sci. and Technol., Kumasi, GHA)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 3  ページ： 2893-2900  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学浴析出法によりシリカガラス基板にナノ結晶鉛硫黄セレン化物(PbS_1-xSe_x)(X=0~1)薄膜を堆積した。堆積したPbS_1-xSe_x薄膜はなめらかで鏡のような灰色であった。X線回折分析では,すべてのPbS_1-xSe_x薄膜が多結晶であり,面心立方構造を持つことを明らかにした。Se濃度の変化は,その結晶の優先配向に顕著な影響を及ぼした。IV-VI族化合物半導体であるPbS_1-xSe_x薄膜の添加したSeモル比の増加に伴い,格子定数は,直線的に増加した。エネルギー分散X線分析では,すべての試料が化学量論組成であることを確かめた。走査電子顕微鏡法により,本薄膜のモルフォロジーを調べた。光吸収分光法調査により,PbS_1-xSe_x薄膜の光バンドギャップが近赤外から可視域に変わることを明らかにした。

シソーラス用語： 析出 ,  セレン化物 ,  鉛化合物 ,  バンドギャップ ,  ナノ結晶 ,  X線回折分析 ,  結晶構造 ,  *化合物半導体 ,  硫化物 ,  格子定数 ,  モル比 ,  吸光分光分析 ,  フォトニックバンドギャップ ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： 化学浴析出法 ,  面心立方構造 ,  *IV-VI族化合物半導体 ,  光吸収分光法 ,  光バンドギャップ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学浴析出法 ,  鉛 ,  硫黄 ,  セレン化物 ,  薄膜 ,  バンドギャップ ,  工学