文献

J-GLOBAL ID：201702247146122838   整理番号：17A1544989

SiC MOSFETの短絡頑健性試験と深さにおける微細構造分析【Powered by NICT】

Short-circuit robustness test and in depth microstructural analysis study of SiC MOSFET

著者 (4件)： Mbarek S. (Normandie Univ, UNIROUEN, INSA Rouen, CNRS, GPM UMR CNRS 6634, 76000 Rouen, France) ,  Dherbecourt P. (Normandie Univ, UNIROUEN, INSA Rouen, CNRS, GPM UMR CNRS 6634, 76000 Rouen, France) ,  Latry O. (Normandie Univ, UNIROUEN, INSA Rouen, CNRS, GPM UMR CNRS 6634, 76000 Rouen, France) ,  Fouquet F. (Normandie Univ, UNIROUEN, ESIGELEC, IRSEEM EA 4353, 76000 Rouen, France)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 76-77  ページ： 527-531  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文の目的は,破壊機構の同定に必要であることを更なるミクロ組織分析を可能にする短絡加齢のアプローチを記述した。これまで,破壊モードに関与する物理的機構に関する相補的な情報の必要性を光に記述されているSiC MOSFET SCロバスト性テストについての少数の関連する研究。本研究の大部分はSCロバスト性試験の新しい手法について検討した。時効後,PEM(光電子放出顕微鏡)法,SEM(走査型電子顕微鏡),FIB(集束イオンビーム)切削を用いて,研究を成功裏にSiC MOSFET電力トランジスタの基本セルの電気測定と構造解析を相関した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ロバスト性 ,  電気測定 ,  時効 ,  集束イオンビーム ,  *微細構造 ,  構造解析 ,  光電子放出 ,  *炭化ケイ素 ,  切削 ,  顕微鏡 ,  *MOSFET ,  電力トランジスタ ,  破壊モード ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： 破壊機構 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  MOSFET ,  短絡 ,  頑健性 ,  試験 ,  微細構造 ,  分析