直接変換型シリコンX線センサのためのトレンチ構造フォトダイオードのX線対電流信号変換特性

ARIYOSHI Tetsuya; FUNAKI Shota; SAKAMOTO Kenji; BABA Akiyoshi; ARIMA Yutaka

文献

J-GLOBAL ID：201702247244354107 整理番号：17A0955254

直接変換型シリコンX線センサのためのトレンチ構造フォトダイオードのX線対電流信号変換特性

X-ray-to-current signal conversion characteristics of trench-structured photodiodes for direct-conversion-type silicon X-ray sensor

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資料名：
巻： 56 号： 4S ページ： 04CH06.1-04CH06.5 発行年： 2017年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

医療用X線診断に必要な放射線量を低減するため,トレンチ構造のフォトダイオードを用いた高感度直接変換型シリコンX線センサを提案した。このセンサは,バイアス電圧が低いため,デバイス寿命が長く,ノイズ耐性があり,低消費電力という利点を持つ。このセンサーでは,ほぼ100%の効率でX線を検出することができる;よって従来の間接変換型センサと比較して感度を約10倍向上できる。本研究では,シングルポリシングルメタル0.35μmプロセスを使用してテストチップを作成した。X線センサ用に形成したトレンチフォトダイオードの深さは約170および300μmである。バイアス電圧25Vにおいて,吸収されたX線対電流信号変換効率は,トレンチ深さ170μmで89.3%(理論限界;96.7%),トレンチ深さ300μmで91.1%(理論限界;94.3%)であった。(翻訳著者抄録)

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X線技術 , 光導電素子

引用文献 (39件)：

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