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J-GLOBAL ID：201702247316093922   整理番号：17A0606049

集合組織液晶上の固有水素化アモルファスシリコン層のピラミッド状尾根線に沿った局在化暗過電流の導電性原子間力顕微鏡測定

Conductive Atomic Force Microscopy Measurements of Localized over Dark Current along Pyramidal Ridge Lines of Intrinsic Hydrogenated Amorphous Silicon Layer on Textured Crystalline

著者 (10件)： Miwa Hiroyuki (Environmental and Renewable Energy System Division, Graduate School of Engineering, Gifu University) ,  Nishida Satoshi (Environmental and Renewable Energy System Division, Graduate School of Engineering, Gifu University) ,  Nishida Satoshi (Next Generation Energy Research Center, Gifu University) ,  Kanematsu Masato (Environmental and Renewable Energy System Division, Graduate School of Engineering, Gifu University) ,  Kuribayashi Shizuma (Environmental and Renewable Energy System Division, Graduate School of Engineering, Gifu University) ,  Win Htay (Environmental and Renewable Energy System Division, Graduate School of Engineering, Gifu University) ,  Yoshida Norimitsu (Environmental and Renewable Energy System Division, Graduate School of Engineering, Gifu University) ,  Yoshida Norimitsu (Next Generation Energy Research Center, Gifu University) ,  Nonomura Shuichi (Environmental and Renewable Energy System Division, Graduate School of Engineering, Gifu University) ,  Nonomura Shuichi (Next Generation Energy Research Center, Gifu University)
資料名： Materials Transactions  (Materials Transactions)
巻： 58  号： 3  ページ： 453-456(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： G0668A  ISSN： 1345-9678  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ピラミッド状集合組織を持つp型結晶シリコン上に堆積した水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)層の局在化暗電流を,導電性原子間力顕微鏡で測定した。電流は,ピラミッド状a-Si:H集合組織の尾根線に沿って流れ,大きな暗過電流は低い開回路電圧(V_oc)に対応した。電流経路には,2種類の起こり得る現象があり,それは可変膜厚と局所結晶化,およびa-Si:H分解である。集合組織を改質する事によって,ピラミッド状結晶構造を持つ結晶シリコン上に堆積したa-Si:H層の電流経路を減少させることができる。この様な仕組みで,固有の薄膜層太陽電池を用いたヘテロ接合の開回路電圧(V_oc)を維持する可能性が示唆される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 集合組織 ,  *アモルファスシリコン ,  原子間力顕微鏡 ,  過電流 ,  暗電流 ,  *水素化物 ,  液晶 ,  *太陽電池 ,  ヘテロ接合 ,  表面 ,  ケイ素 ,  電圧 ,  結晶構造 ,  結晶化 ,  膜厚
準シソーラス用語： 導電性原子間力顕微鏡 ,  *水素化アモルファスケイ素 ,  P型シリコン ,  結晶シリコン ,  開回路電圧

著者キーワード (4件)： solar cell ,  hetero-junction ,  AFM ,  textured surface

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

引用文献 (15件)：

• 1) Y. Tsunomura, Y. Yoshimine, M. Taguchi, T. Baba, T. Kinoshita, H. Kanno, H. Sakata, E. Maruyama and M. Tanaka: Solar Energy Mater. Solar Cells 93 (2009) 670. 10.1016/j.solmat.2008.02.037
• 2) T. Mishima, M. Taguchi, H. Sakata and E. Maruyama: Solar Energy Mater. Solar Cells 95 (2011) 18. 10.1016/j.solmat.2010.04.030
• 3) Q. Wang, M.R. Page, E. Iwaniczko, Y. Xu, L. Roybal, R. Bauer, B. To, H.-C. Yuan, A. Duda, F. Hasoon, Y.F. Yan, D. Levi, D. Meier, H.M. Branz and T.H. Wang: Appl. Phys. Lett. 96 (2010) 013507. 10.1063/1.3284650
• 4) H. Fujiwara and M. Kondo: Appl. Phys. Lett. 90 (2007) 013503. 10.1063/1.2426900
• 5) M. Schaper, J. Schmidt, H. Plagwitz and R. Brendel: Prog. Photovolt. Res. Appl. 13 (2005) 381. 10.1002/pip.641

タイトルに関連する用語 (9件)： 集合組織 ,  液晶 ,  固有 ,  水素化アモルファスシリコン ,  ピラミッド ,  尾根 ,  局在化 ,  過電流 ,  導電性原子間力顕微鏡