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J-GLOBAL ID：201702247328622784   整理番号：17A0964834

新興メモリの最近の技術進歩【Powered by NICT】

Recent Technology Advances of Emerging Memories

著者 (4件)： Chen Yiran (Electrical and Computer Engineering Department, Duke University, Durham, NC, USA) ,  Li Hai Helen (Duke University) ,  Bayram Ismail (University of Pittsburgh) ,  Eken Enes (University of Pittsburgh)
資料名： IEEE Design & Test  (IEEE Design & Test)
巻： 34  号： 3  ページ： 8-22  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0007C  ISSN： 2168-2356  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 編集者のノート:相変化メモリ,スピン移動トルクランダムアクセスメモリ,および抵抗ランダムアクセスメモリは学術と産業の双方から多大な注目を受けることを三つの主要な新興メモリ技術である。本調査論文では,著者らは,素子設計,回路設計,計算機アーキテクチャ,応用におけるこれらの技術の最新の研究の進歩を要約した。Tei Wei Kuo,国立台湾大学Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 台湾 ,  RAM【メモリ】 ,  *記憶装置 ,  回路設計 ,  計算機アーキテクチャ
準シソーラス用語： 素子設計 ,  ReRAM ,  スピントルク ,  相変化メモリ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  ディジタル計算機ハードウェア一般  (JC04010C)