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J-GLOBAL ID：201702247493357992   整理番号：17A1445689

高密度不揮発性メモリ応用のためのIn_3SbTe_2デバイスの超高コントラストマルチレベル抵抗状態【Powered by NICT】

Extremely High Contrast Multi-Level Resistance States of In₃SbTe₂ Device for High Density Non-Volatile Memory Applications

著者 (3件)： Pandey Shivendra K. (Discipline of Electrical Engineering, Indian Institute , of Technology Indore, Indore, 453552, India) ,  Manivannan Anbarasu (Discipline of Electrical Engineering, Indian Institute , of Technology Indore, Indore, 453552, India) ,  Manivannan Anbarasu (Metallurgical Engineering and Materials Science, Indian Institute of Technology Indore, Indore, 453552, India)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 11  号： 9  ページ： ROMBUNNO.201700227  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶化の電流制御促進はマルチビット相変化メモリ応用に利用されているしきい値スイッチング過程後に安定したマルチレベル抵抗を提供する。In_3SbTe_2デバイスの超高コントラストマルチレベル抵抗特性は数μAから40μAに電流の広い範囲で電流制御結晶化過程を系統的に変化させることによって実証し,対応する耐性レベルは10MΩの範囲の10Ωであった。,非晶質相における伝導過程と多剤耐性レベルの安定性は,トラップ制限しきい値以下電気輸送モデルを用いて解析した,種々の抵抗状態の有効結晶厚さを推定した。さらに,プログラミング電流の系統的増加は,高密度データ貯蔵応用のためのIn_3SbTe_2デバイスの異常なマルチビットプログラミング能力を明らかにした非晶質および結晶質(セット)状態の間の著しく大きなプログラミング縁辺(~570倍)と八以上の離散安定抵抗状態を明らかにした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶化 ,  データ蓄積 ,  電流制御 ,  *コントラスト ,  電流 ,  *不揮発性メモリ ,  結晶 ,  非晶質 ,  計算機プログラミング ,  スイッチング ,  多剤耐性
準シソーラス用語： 輸送モデル ,  *マルチレベル ,  相変化メモリ ,  *高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： InSbTe ,  大抵抗性コントラスト ,  マルチビットデータ蓄積 ,  相は材料を変化させる

分類 (1件)： 非晶質金属の構造  (BK04020D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 不揮発性メモリ ,  応用 ,  高コントラスト ,  マルチレベル