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J-GLOBAL ID：201702247517341667   整理番号：17A0691870

ゲルマニウム上のAl₂O₃層のRFスパッタリングにおける界面層の成長動態と組成

Growth kinetic and composition of the interfacial layer for RF sputtering Al₂O₃ layer on germanium

著者 (9件)： SAHARI Siti Kudnie (Universiti Malaysia Sarawak, Kota Samarahan, MYS) ,  KASHIF Muhammad (Universiti Malaysia Sarawak, Kota Samarahan, MYS) ,  SUTAN Norsuzailina Mohamed (Universiti Malaysia Sarawak, Kota Samarahan, MYS) ,  EMBONG Zaidi (Universiti Tun Hussein Onn Malaysia, Batu Pahat, MYS) ,  FATHI Nik Amni Fathi Nik Zaini (Universiti Malaysia Sarawak, Kota Samarahan, MYS) ,  HAMZAH Azrul Azlan (Universiti Kebangsaan Malaysia, Bangi, MYS) ,  SAPAWI Rohana (Universiti Malaysia Sarawak, Kota Samarahan, MYS) ,  MAJLIS Burhanuddin Yeop (Universiti Kebangsaan Malaysia, Bangi, MYS) ,  AHMAD Ibrahim (Universiti Tenaga Nasional Malaysia, Kajang, MYS)
資料名： Microelectronics International  (Microelectronics International)
巻： 34  号： 2  ページ： 64-68  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0949A  ISSN： 1356-5362  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高k/Geゲートスタック製造における主な問題はGeO_x-Ge界面の品質と等価酸化膜厚(EOT)である。本研究では,Ge基板上にRFスパッタしたAl₂O₃を400°Cの乾燥酸素中でポスト酸化アニーリングしてGeO_x界面層を形成し,その成長動態と組成を調べた。界面層の厚みと組成は出発表面に依存し,HF-及びHCl-最終出発表面の何れでも,RFスパッタリング時にゲルマニウム酸アルミニウム様組成が形成された。HCl洗浄後にGe表面を塩素で成端すると,RFスパッタリング時のGeO_xとAl₂O₃の間の相互混合が僅かに防止できた。注意深い工程調整と正しい堆積法の選択が重要であることを示した。

シソーラス用語： ゲート【半導体】 ,  ゲート絶縁膜 ,  RFスパッタリング ,  *薄膜成長 ,  境界層 ,  界面 ,  ゲルマニウム ,  *酸化アルミニウム ,  膜厚 ,  洗浄 ,  成端 ,  X線光電子スペクトル ,  半導体プロセス ,  塩化水素 ,  ハフニウム ,  *酸化ゲルマニウム ,  半導体材料 ,  P型半導体
準シソーラス用語： ゲートスタック ,  等価酸化膜厚

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： ゲルマニウム ,  Al2O3 ,  RFスパッタリング ,  界面層 ,  成長 ,  組成