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J-GLOBAL ID：201702247536367283   整理番号：17A0852414

スピン-オン-ガラスソース/ドレインドーピング技術を用いたGa_2O_3MOSFET【Powered by NICT】

Ga₂O₃ MOSFETs Using Spin-On-Glass Source/Drain Doping Technology

著者 (8件)： Zeng Ke (Electrical Engineering Department, University at Buffalo, Buffalo, NY, USA) ,  Wallace Joshua S. (Chemistry Department, University at Buffalo, Buffalo, NY, USA) ,  Heimburger Christopher (Chemistry Department, University at Buffalo, Buffalo, NY, USA) ,  Sasaki Kohei (Novel Crystal Technology Inc., Sayama, Japan) ,  Kuramata Akito (Novel Crystal Technology Inc., Sayama, Japan) ,  Masui Takekazu (Novel Crystal Technology Inc., Sayama, Japan) ,  Gardella Joseph A. (Chemistry Department, University at Buffalo, Buffalo, NY, USA) ,  Singisetti Uttam (Electrical Engineering Department, University at Buffalo, Buffalo, NY, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 4  ページ： 513-516  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ga_2O_3パワーMOSFETに及ぼすすず(Sn)をドープしたスピンオンガラス(SOG)を用いたソース/ドレイン(S/D)ドーピングの最初の実証を報告した。SOGドーピングの有効性は半絶縁性Ga_2O_3基板上の比較実験により検証した。ρ_c=2.1±1.4×10~ 5Ωcm~2の比接触抵抗はSOGドープ層を得た。Ga_2O_3におけるSnの熱拡散挙動も調べた。SOG S/Dドーピングを用いたMOSFETは2×10~17/cm~3の平均有効をドープした200nmエピタキシャルGa_2O_3層上に作製した。増加したピーク出力ドレイン電流密度40mA/mmの減少S/D抵抗のために達成された。最大相互コンダクタンス(g_m)はL_g=2μmをもつ素子で1.23mS/mmであった。デバイスは大きなオン/オフ比10~8と382Vの破壊電圧を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： エピタクシー ,  スズ ,  熱拡散 ,  *ドーピング ,  相互コンダクタンス ,  比較試験 ,  *MOSFET ,  絶縁破壊電圧 ,  半絶縁性
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  比接触抵抗 ,  *ドーピング【薬】 ,  スピンオングラス ,  パワーMOSFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： スピン ,  ガラス ,  ソース