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J-GLOBAL ID：201702247642954189   整理番号：17A0443812

二重堆積及びストリッピング段階後のアノーディックストリッピングボルタンメトリーによる痕跡量Se(IV)の定量【Powered by NICT】

Determination of trace Se(IV) by anodic stripping voltammetry following double deposition and stripping steps

著者 (3件)： Ochab Mateusz (Faculty of Chemistry, Maria Curie Sklodowska University, 20-031 Lublin, Poland) ,  Geca Iwona (Faculty of Chemistry, Maria Curie Sklodowska University, 20-031 Lublin, Poland) ,  Korolczuk Mieczyslaw (Faculty of Chemistry, Maria Curie Sklodowska University, 20-031 Lublin, Poland)
資料名： Talanta  (Talanta)
巻： 165  ページ： 364-368  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0324A  ISSN： 0039-9140  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金電極における二つの堆積及びストリッピング段階を用いたアノーディックストリッピングボルタンメトリーによるSe(IV)の定量法を提案した。セレンの明確なストリッピングピークはポテンシャル0.9で得られた。両方の電着とストリッピング段階を含むセレンピーク電流に影響するパラメータの最適化を行った。直線関係は,5×10~ 9から1×10~ 7モルL 1~( 1)の範囲でSe(IV)ピーク電流とその濃度の間で観察された。検出限界は8.5×10~ 10モルL 1~( 1)であることが分かった。Se(IV)濃度5×10~ 8モルL 1~( 1)のRSD%として決定法の再現性は4.3%(n=7)であった。提案した手順は,認証標準物質および天然水試料中のSe(IV)の定量に使用し,許容される結果,回収率が得られた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 水試料 ,  ポテンシャル ,  検出限界 ,  金電極 ,  回収率 ,  電着 ,  再現性 ,  定量分析 ,  認証標準物質 ,  *セレン ,  最適化 ,  *アノーディックストリッピングボルタンメトリー
準シソーラス用語： ピーク電流 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ストリッピング分析 ,  二重蒸着 ,  セレン ,  定量

分類 (2件)： 分光分析  (CC03012W) ,  抽出  (CC01040H)

タイトルに関連する用語 (7件)： 堆積 ,  ストリッピング ,  段階 ,  アノーディックストリッピングボルタンメトリー ,  痕跡 ,  Se ,  定量