文献

J-GLOBAL ID：201702247755609713   整理番号：17A1570377

非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛-オキシド薄膜トランジスタを集積したZnOナノワイヤ電界エミッタ【Powered by NICT】

ZnO nanowire field emitters integrated with amorphous Indium-Gallium-Zinc-Oxide thin film transistor

著者 (7件)： Li Xiaojie (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Zhang Zhipeng (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Ou Hai (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  She Juncong (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Deng Shaozhi (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Xu Ningsheng (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Chen Jun (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IVNC  ページ： 206-207  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質インジウム-ガリウム-亜鉛-オキシド薄膜トランジスタ(a IGZO TFT)はZnOナノワイヤ電界エミッタのための活性駆動装置として使用した。a-IGZO TFTにより制御されたZnO FEAの特性を研究した。低駆動電圧,精密な制御と電界放出電流の安定化を達成した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  電流 ,  *酸化亜鉛 ,  *非晶質 ,  *酸化物 ,  電界放出
準シソーラス用語： 駆動電圧 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  *電界エミッタ ,  *酸化亜鉛ナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 非晶質 ,  インジウム ,  ガリウム ,  亜鉛 ,  オキシド ,  薄膜トランジスタ ,  集積 ,  ZnOナノワイヤ ,  電界エミッタ