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J-GLOBAL ID：201702247935881275   整理番号：17A1646076

異なるスパッタ材料の遮蔽有効性の測定と比較解析【Powered by NICT】

Measurement and comparative analysis of shielding effectiveness of different sputtered materials

著者 (10件)： Song Kyunghwan (TeraByte Interconnection and Package Laboratory Korea Advanced Institute of Science and Technology Daejeon, Korea) ,  Cho Yeonje (TeraByte Interconnection and Package Laboratory Korea Advanced Institute of Science and Technology Daejeon, Korea) ,  Kim Subin (TeraByte Interconnection and Package Laboratory Korea Advanced Institute of Science and Technology Daejeon, Korea) ,  Jeong Seungtaek (TeraByte Interconnection and Package Laboratory Korea Advanced Institute of Science and Technology Daejeon, Korea) ,  Kim Dong-Hyun (TeraByte Interconnection and Package Laboratory Korea Advanced Institute of Science and Technology Daejeon, Korea) ,  Kim Hongseok (TeraByte Interconnection and Package Laboratory Korea Advanced Institute of Science and Technology Daejeon, Korea) ,  Kim Joungho (TeraByte Interconnection and Package Laboratory Korea Advanced Institute of Science and Technology Daejeon, Korea) ,  Kim Bongsuk (R&D Center Core & Integration Technology, Inc. Hwaseong, Korea) ,  Heo Jin (R&D Center Core & Integration Technology, Inc. Hwaseong, Korea) ,  Jung Yusup (R&D Center Core & Integration Technology, Inc. Hwaseong, Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： EMCSI  ページ： 355-359  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,スマートフォンとsmartwatchesのような電子デバイスのパッケージは,高密度集積回路。このような素子に集積した電力増幅器モジュールは,その誘導成分による他の回路と相互作用し,電磁干渉問題を引き起こす可能性がある。電磁問題を低減するために,スパッタリング技術を用いることができる。本論文では,ベクトルネットワークアナライザを用いた20MHzから30kHzからの低周波範囲でスパッタした遮蔽材料の遮蔽有効性測定結果を提示した。スパッタ遮蔽材料は銅,ニッケル,チタン,ステンレス鋼などがある。挿入損失を比較することにより,遮蔽有効性を解析した。スパッタされた材料の厚さの影響も解析した。四材料の中で,スパッタした銅は最も高い遮蔽有効性を持っている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： スマートフォン ,  *LSI【IC】 ,  銅 ,  LF【周波数】 ,  ステンレス鋼 ,  スパッタリング ,  電力増幅器 ,  挿入損 ,  相互作用 ,  電磁干渉 ,  チタン ,  ニッケル
準シソーラス用語： ベクトルネットワークアナライザ ,  電子素子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  R,L,C,Q,インピーダンス,誘電率の計測法・機器  (AD07030N) ,  その他の電磁気的量の計測法・機器  (AD07070F)

タイトルに関連する用語 (4件)： スパッタ ,  遮蔽 ,  有効性 ,  解析