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J-GLOBAL ID：201702247942609270   整理番号：17A1172358

ほぼ平衡水素エッチングによって得られたSiC(0001 )表面上の高移動度と大きなドメイン分離したエピタキシャルグラフェン【Powered by NICT】

High mobility and large domain decoupled epitaxial graphene on SiC (000 1 ) surface obtained by nearly balanced hydrogen etching

著者 (10件)： Zhang Fusheng (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, PR China) ,  Chen Xiufang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, PR China) ,  Yu Cancan (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, PR China) ,  Xu Xiangang (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, PR China) ,  Hu Xiaobo (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, PR China) ,  Qin Xiao (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, PR China) ,  Li Qi (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, PR China) ,  Zhao Xian (State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, PR China) ,  Yu Peng (State Grid Shandong Electric Power Research Institute, Jinan 250001, PR China) ,  Wang Ruiqi (State Grid Shandong Electric Power Research Institute, Jinan 250001, PR China)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 195  ページ： 82-85  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC(0001 )表面上の高移動度,高い構造品質と大きなドメインデカップルしたエピタキシャルグラフェンは,調製プロセスを最適化することによって得ることに成功した。基板のエッチング形態,とエピタキシャルグラフェンの構造品質と層積層を調べた。結果は通常の広いステップを持つSiC基板のC面とエッチピットのフリーの表面はほぼ平衡水素エッチングにより形成されることを示した。基板の規則的な表面モルフォロジーは,グラフェンの分域サイズと分離したグラフェン層を形成するための自発的成長を拡大するためにグラフェンの合体に有利であった。構造品質とH all移動度9075cm2/Vsに達することを著しく改善した。この種EGの超高周波電子デバイスの使用に適しているであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 分域 ,  エッチピット ,  *水素 ,  *移動度 ,  品質 ,  *エッチング ,  最適化 ,  エピタクシー ,  *グラフェン ,  SHF【周波数】
準シソーラス用語： 電子素子 ,  表面形態 ,  炭化ケイ素基板 ,  *エピタキシャルグラフェン ,  *高移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 炭素材料 ,  水素エッチング ,  エピタキシャル成長 ,  Raman

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 平衡 ,  水素 ,  エッチング ,  SiC ,  高移動度 ,  ドメイン ,  エピタキシャルグラフェン