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J-GLOBAL ID：201702248028426901   整理番号：17A0950726

反応性ガスタイミングマグネトロンスパッタリングでデポジットしたアモルファスITO薄膜の微細構造と光電特性に与える水素処理の役目

Role of hydrogen treatment on microstructural and opto-electrical properties of amorphous ITO thin films deposited by reactive gas-timing DC magnetron sputtering

著者 (3件)： KOSARIAN A. (Shahid Chamran Univ. Ahvaz, Ahvaz, IRN) ,  SHAKIBA M. (Shahid Chamran Univ. Ahvaz, Ahvaz, IRN) ,  FARSHIDI E. (Shahid Chamran Univ. Ahvaz, Ahvaz, IRN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 14  ページ： 10525-10534  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アモルファス太陽電池では格子定数整合の必要がないアモルファス透明電極が適している。水素化アモルファスITO薄膜を,反応性ガスタイミングDCマグネトロンスパッタリングでガラス基板にデポジットした。ITO膜の微細構造と光電特性に及ぼす水素の効果を調べるためにスパッタリングシステムに水素導入ラインを加えてプラズマガス中の水素分圧を変化させた。デポジットした水素化アモルファスITO薄膜のキャラクタリゼーションを,XRD,AFM,伝導度測定,フォトルミネセンス,UV-Vis分光測定で行った。水素ガス流量0.1sccmの均一ガス導入で,ITO薄膜は最小シート抵抗8.334Ω/□,透過率81.6%,厚さ380nm,光学バンドギャップ4.02eVを示した。

シソーラス用語： *酸化インジウムスズ ,  薄膜 ,  *微細構造 ,  水素化処理 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  電気特性 ,  非晶質 ,  シート抵抗 ,  透過率 ,  光学ギャップ ,  X線回折 ,  原子間力顕微鏡 ,  スペクトル
準シソーラス用語： AFM【顕微鏡】 ,  ITO ,  PLスペクトル ,  XRD ,  アモルファス ,  光学バンドギャップ ,  光電特性 ,  *水素処理 ,  透過スペクトル

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (9件)： 反応性ガス ,  マグネトロンスパッタリング ,  デポジット ,  アモルファス ,  ITO薄膜 ,  微細構造 ,  光電特性 ,  水素処理 ,  役目