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J-GLOBAL ID：201702248099182078   整理番号：17A0492873

暗電流抑制のための誘電体超薄膜を用いた横方向アモルファスセレン金属-絶縁体-半導体-絶縁体-金属光検出器

Lateral amorphous selenium metal-insulator-semiconductor-insulator-metal photodetectors using ultrathin dielectric blocking layers for dark current suppression

著者 (6件)： Chang Cheng-Yi (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Pan Fu-Ming (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Lin Jian-Siang (Department of Materials Science and Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu 30010, Taiwan) ,  Yu Tung-Yuan (National Nano Device Laboratories, No. 26, Prosperity Road I, Hsinchu Science Park, Hsinchu 30078 Taiwan) ,  Li Yi-Ming (Department of Electrical Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu 30010 Taiwan) ,  Chen Chieh-Yang (Department of Electrical Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu 30010 Taiwan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 120  号： 23  ページ： 234501-234501-8  発行年： 2016年12月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *光検出器 ,  *誘電体薄膜 ,  *暗電流 ,  MIM構造 ,  セレン ,  非晶質 ,  電場効果 ,  深い準位 ,  酸化ハフニウム ,  酸化アルミニウム ,  窒化ケイ素 ,  プラズマCVD ,  ブロッキング層 ,  半導体-絶縁体境界
準シソーラス用語： 原子層蒸着

分類 (2件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 暗電流 ,  誘電体 ,  超薄膜 ,  横方向 ,  アモルファス ,  セレン ,  絶縁体 ,  光検出器