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J-GLOBAL ID：201702248168721434   整理番号：17A1546291

低ドープn-GaAs中の電子ビーム照射により誘起された欠陥の電気的特性評価【Powered by NICT】

Electrical characterization of defects induced by electron beam exposure in low doped n-GaAs

著者 (7件)： Tunhuma S.M. (Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Pretoria 0002, South Africa) ,  Auret F.D. (Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Pretoria 0002, South Africa) ,  Nel J.M. (Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Pretoria 0002, South Africa) ,  Omotoso E. (Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Pretoria 0002, South Africa) ,  Danga H.T. (Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Pretoria 0002, South Africa) ,  Igumbor E. (Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Pretoria 0002, South Africa) ,  Diale M. (Department of Physics, University of Pretoria, Private Bag X20, Pretoria 0002, South Africa)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 409  ページ： 36-40  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Schottkyメタライゼーションの前に電子ビーム照射によるn型ひ化ガリウム中に導入された電気的に活性な点欠陥を特性化するために深準位過渡分光法(DLTS)およびLaplace DLTS(L DLTS)を使用した。GaAs結晶をイオン固体相互作用による欠陥を形成するように,低と不十分な考えであるしきい値以下のエネルギーでの入射電子に曝露した。DLTSは,粒子照射後のn-GaAsにおける一般的に観察されるものとは異なる電子トラップの集合を明らかにした。同じ放射型からのこれらの異なる特徴は異なる機構である二電子照射過程における欠陥形成の原因であることを示唆した。欠陥が形成された条件の解析は,得られた実験的証拠を用いて可能な欠陥形成機構の数を抽出しした。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *電子照射 ,  キャラクタリゼーション ,  *電気的性質 ,  深準位過渡分光法 ,  *ドーピング ,  メタライゼーション ,  結晶 ,  *ヒ化ガリウム ,  点欠陥
準シソーラス用語： 欠陥形成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 電子ビーム照射 ,  Laplace DLTS ,  離散ブリーザ ,  しきい値エネルギー ,  ひ化ガリウム

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドープ ,  GaAs ,  電子ビーム照射 ,  誘起 ,  欠陥 ,  電気的特性 ,  評価