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J-GLOBAL ID：201702248171856846   整理番号：17A0940094

中プロセスにおけるTSVと接触のための残留応力とポップアウトシミュレーション【Powered by NICT】

Residual Stress and Pop-Out Simulation for TSVs and Contacts in Via-Middle Process

著者 (7件)： Rao Can (State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Wang Tongqing (State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Peng Yarui (Department of Computer Science and Computer Engineering, University of Arkansas, Fayetteville, AR, USA) ,  Cheng Jie (State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Liu Yuhong (State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, Beijing, China) ,  Lim Sung Kyu (School of ECE, Georgia Institute of Technology, Atlanta, GA, USA) ,  Lu Xinchun (State Key Laboratory of Tribology, Tsinghua University, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing  (IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing)
巻： 30  号： 2  ページ： 143-154  発行年： 2017年 
JST資料番号： T0521A  ISSN： 0894-6507  CODEN： ITSMED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三次元集積回路製造のバイアホール中間プロセスでは,(TSV)アニーリングシリコン貫通ビアはその周辺構造,ライナとランディングパッドを含むばかりでなく周辺接触だけでなく機械的応力を引き起こす。このプロセスは,TSVおよび/または接触における顕著なポップアウトをもたらす可能性がある,それに続く化学機械研磨(CMP)を複雑にした。添加では,残留応力は剥離あるいは亀裂を引き起こす可能性がある。本論文では,残留応力の詳細なシミュレーションとTSVと隣接接触のためのポップアウト機構を行った。著者らの主な焦点はTSV誘導と接触応力の相互作用とポップアウト高さに対するそれらの組合せの影響であった。添加では,重要なパラメータの感度解析,距離,可塑性,アニーリング温度,および隣接接触の分布を含むを行った。本論文では,これらのパラメータは応力とTSVと接触のポップアウトに顕著に影響することを示した。これはその後のCMP(化学的機械的研磨段階を複雑にすることが期待される。最後に,線形重畳法を適用した応力を予測するために,有限要素解析シミュレーション結果と比較してその精度を検証した。比較の結果は,重合せ法は正確であることを示した。,フルチップ設計のための応力を予測するために用いることができた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 接触応力 ,  焼なまし ,  *残留応力 ,  相互作用 ,  化学機械研磨 ,  重合せ ,  感度解析 ,  ライナ ,  亀裂 ,  バイアホール ,  塑性 ,  *シミュレーション
準シソーラス用語： 有限要素解析 ,  *ポップアウト現象 ,  三次元集積回路 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： プロセス ,  TSV ,  残留応力