文献

J-GLOBAL ID：201702248251954810   整理番号：17A0274497

SiNx:Hを用いたほう素をドープしたフロートゾーンシリコンのバルクおよび不動態化品質における温度と光誘起変化【Powered by NICT】

Temperature and Light-Induced Changes in Bulk and Passivation Quality of Boron-Doped Float-Zone Silicon Coated With SiNx:H

著者 (4件)： Sperber David (Department of Physics, University of Konstanz, Konstanz, Germany) ,  Heilemann Adrian (Department of Physics, University of Konstanz, Konstanz, Germany) ,  Herguth Axel (Department of Physics, University of Konstanz, Konstanz, Germany) ,  Hahn Giso (Department of Physics, University of Konstanz, Konstanz, Germany)
資料名： IEEE Journal of Photovoltaics  (IEEE Journal of Photovoltaics)
巻： 7  号： 2  ページ： 463-470  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2305A  ISSN： 2156-3381  CODEN： IJPEG8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,水素化窒化ケイ素で被覆したほう素をドープした浮遊帯けい素は高温と照明で迅速焼成段階とそれに続く処理後有効少数キャリア寿命の強い不安定性を示すことが分かった。このような処理の間,両者の劣化と回復の特徴は分から月までの時間スケールで見ることができた。観察された挙動をさらに調べるために,コロナ帯電,容量電圧測定,および化学的再不動態化法を適用した。は最初の高速劣化と回復はバルク寿命の変化と関連していることが示され,迅速焼成段階はこのバルク不安定性に強く影響することが観察された。引き続く遅い劣化と回復は化学的不動態化品質の変化に起因することを有効表面再結合速度の変化を反映している。ほう素をドープした浮遊帯シリコンは迅速焼成段階後と考えられる安定な高寿命参照材料として用いる場合は注意しなければならないと結論づけることができる。さらに,窒化けい素関連不動態化は高温と照明迅速焼成段階後で安定から離れているかもしれないと言える。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高温 ,  *ドーピング ,  電圧測定 ,  水素化 ,  照明 ,  キャリア寿命 ,  *不動態化 ,  窒化ケイ素 ,  不安定性 ,  高速度 ,  浮遊 ,  *ホウ素
準シソーラス用語： 表面再結合速度 ,  コロナ帯電 ,  *光誘起 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： ほう素 ,  ドープ ,  バルク ,  不動態化 ,  光誘起