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J-GLOBAL ID：201702248263560384   整理番号：17A0504441

熱イオン真空アークでコートしたGeドープGaN薄膜に与える基板の効果

The substrate effect on Ge doped GaN thin films coated by thermionic vacuum arc

著者 (4件)： OEZEN Soner (Eskisehir Osmangazi Univ., Eskisehir, TUR) ,  KORKMAZ Sadan (Eskisehir Osmangazi Univ., Eskisehir, TUR) ,  SENAY Volkan (Bayburt Univ., Bayburt, TUR) ,  PAT Suat (Eskisehir Osmangazi Univ., Eskisehir, TUR)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 2  ページ： 1288-1293  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明基板にコートしたGeドープGaN薄膜のに与える基板効果を調べた。制作した膜は,加熱していないガラスとPETの上に熱イオン真空アーク技術でを使ってデポジットした。GeドープGaN薄膜の反射率,屈折率,厚さを光干渉計でフィッティングにCauchyモデルを使って測定した。Ge量を増やすと光学バンドギャップエネルギーが大きくなる。PET基板上のGeドープGaN薄膜はガラス基板よりも反射率が10%高い。基板による表面トポロジの差も調べた。

シソーラス用語： イオン ,  イオンめっき ,  真空アーク ,  *窒化ガリウム ,  *薄膜 ,  ゲルマニウム ,  ドーピング ,  効果 ,  ガラス ,  ポリエチレンテレフタレート ,  反射率 ,  屈折率 ,  光学ギャップ ,  スペクトル ,  吸収スペクトル
準シソーラス用語： GaN ,  PET【重合体】 ,  *基板効果 ,  光学バンドギャップ ,  *真空アーク蒸着 ,  透過スペクトル ,  熱イオン

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 熱イオン ,  真空アーク ,  コート ,  Ge ,  ドープ ,  GaN ,  薄膜