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J-GLOBAL ID：201702248298522690   整理番号：17A0822239

DCマグネトロンスパッタリングで制作したAlドープZnO薄膜の性質に与えるバッファ厚さの効果

Effect of buffer thickness on the properties of Al-doped ZnO thin films prepared by DC magnetron sputtering

著者 (4件)： ZHU Ke (Hunan Inst. Technol., Hengyang, CHN) ,  WANG Haibin (Hunan Inst. Technol., Hengyang, CHN) ,  XIAO Faxin (Hunan Inst. Technol., Hengyang, CHN) ,  XU Feng (Hunan Inst. Technol., Hengyang, CHN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 28  号： 10  ページ： 7302-7306  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キャリヤ移動度とエッチング挙動が膜の結晶性に敏感なことから,結晶構造を改善して移動度を高めるAlドープZnO(AZO)デポジションのためのバッファ層が研究されている。同じAZO膜をバッファ層としたガラス基板にAZO薄膜をDCマグネトロンでデポジットし,バッファ層の厚さがAZO薄膜の電気的,モルフォロジ的,構造的,光学的性質に与える影響を調べた。バッファ層厚が増えるとAZO薄膜の比抵抗は6.4×10^-4Ωcm(バッファ無し)から3.8×10^-4Ωcm(バッファ厚160nm)に減少し,移動度は33.4から51.2cm²/Vsに増加した。AZO薄膜のヘイズ係数はバッファ厚160nmまでは増加するがそれ以降は徐々に減少する。400~1600nmでの高いヘイズ係数56.7%がバッファ厚160nmで得られた。

シソーラス用語： *マグネトロンスパッタリング ,  薄膜 ,  *バッファ層 ,  アルミニウム ,  ドーピング ,  *酸化亜鉛 ,  結晶構造 ,  移動度 ,  電気的性質 ,  光学的性質 ,  モルフォロジー ,  電気抵抗率 ,  透過率
準シソーラス用語： *AZO ,  DCマグネトロンスパッタリング ,  ZnO薄膜 ,  ヘイズ ,  光透過率 ,  比抵抗

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： DCマグネトロンスパッタリング ,  制作 ,  AlドープZnO ,  薄膜 ,  性質 ,  バッファ ,  厚さ