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J-GLOBAL ID：201702248333166221   整理番号：17A1636596

AlGaN/GaNH EMTの表面電位モデルにおける自己発熱とトラッピング効果の実装【Powered by NICT】

Implementation of self-heating and trapping effects in surface potential model of AlGaN/GaN HEMTs

著者 (6件)： Wu Qingzhi (School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Xu Yuehang (School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Wang Zhigang (School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Xia Lei (School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Yan Bo (School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Xu Ruimin (School of Electronic Engineering, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IMS  ページ： 236-239  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己加熱と電荷トラップ効果を本論文においてAlGaN/GaNH EMTの大信号モデルに基づく表面電位(SP)に実装した。自己加熱効果(SHE)は自由キャリア移動度モデルに温度上昇を埋め込むことによって非線形電流モデルに組み込んだ。さらに,トラッピング効果による分散は,効果的なゲート-ソース電圧に基づく方法によりモデル化した。実験結果は,提案したモデルは広いバイアス上のデバイスの静的(DC)とパルスゲートとドレインIV(PIV)特性を正確に予測できることを示した。また小信号と大信号挙動も良好な精度で検証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電流 ,  *表面電位 ,  モデリング ,  *モデル ,  電圧 ,  昇温 ,  キャリア移動度 ,  バイアス
準シソーラス用語： 大信号 ,  大信号モデル ,  電荷捕獲 ,  *トラッピング ,  *自己加熱 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： AlGaN ,  EMT ,  表面電位 ,  モデル ,  自己発熱 ,  トラッピング ,  実装