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J-GLOBAL ID:201702248349372513   整理番号:17A1637407

ウエハ裏面変色を研究するための物理的解析アプローチ【Powered by NICT】

Physical analysis approach to investigate wafer backside discoloration
著者 (2件):
資料名:
巻: 2017  号: IPFA  ページ: 1-3  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,ウエハ裏面メタライゼーション(BSM)変色の性質を理解するために物理的解析手法を説明し,系統的方法論と問題プロセス層を確認した。BSM変色の原因を決定するために一連の分析を行った。走査型透過型電子顕微鏡-エネルギー分散X線分光法(STEM EDX)線走査の結果は,BSM変色であるAl-Si界面における非常に薄い酸化物層の存在に起因することを明らかにした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (5件):
分類
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太陽電池  ,  化成処理  ,  クラッド材  ,  金属系複合材料一般  ,  金属の機械的性質 
タイトルに関連する用語 (5件):
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