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J-GLOBAL ID：201702248385709396   整理番号：17A0406911

誘電体薄膜挿入によるA LD ZnOベース整流構造の特性の調整-モデル化と実験的研究【Powered by NICT】

Tuning the properties of ALD-ZnO-based rectifying structures by thin dielectric film insertion - Modeling and experimental studies

著者 (8件)： Krajewski Tomasz A. (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02668, Warsaw, Poland) ,  Smertenko Petro S. (Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine (NASU), Prosp. Nauki 45, 03028, Kyiv, Ukraine) ,  Luka Grzegorz (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02668, Warsaw, Poland) ,  Snigurenko Dymitr (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02668, Warsaw, Poland) ,  Kopalko Krzysztof (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02668, Warsaw, Poland) ,  Lusakowska Elzbieta (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02668, Warsaw, Poland) ,  Jakiela Rafal (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02668, Warsaw, Poland) ,  Guziewicz Elzbieta (Institute of Physics, Polish Academy of Sciences, Aleja Lotnikow 32/46, PL-02668, Warsaw, Poland)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 693  ページ： 1164-1173  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,半導性酸化物層は低温(80 °C≦T≦130 °C)原子層蒸着(A LD)プロセスによって得られたZnOベース整流構造の電気物理的診断を行った。試験したダイオードの成長のために有機化合物(ジエチル亜鉛,DEZn)は,亜鉛前駆体として用いた。酸素源として脱イオン(Schottky整流器の場合と同様にホモ接合のn型部分)またはアンモニア水(ホモ接合のp型層)を適用した。これらの構造の基本的な電気パラメータ(整流(I_ON/I_はOFF)比で注目される)を改善するために,それぞれ,Ag Schottky接触下またはhomodiode部品間に薄い誘電体層(HfO_またはAl_O_)を挿入することに基づく解を試験した。Ag/HfO_/ZnO/ITO SchottkyダイオードとZnOホモ接合の電気的特性を比較することと同様に微分アプローチに従って室温電流-電圧(I V)特性モデリングを通して,約±2V分極電圧範囲でI_ON/I_オフパラメータとして10~4 10~5を達成可能にする最適中間層の厚さは約2.5 5nmことが分かってきた。さらに,理論的研究を含む,支配的なキャリア輸送機構は単極注入,誘電体層と二分子再結合で起こるトンネル/トラッピング現象であることを確認した。達成された結果は,調べた構造は,現代の電子デバイス,時間で安定であり,良好な品質のダイオードが必要とされるに適用されるpredestine。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 整流器 ,  *誘電体 ,  ダイオード ,  *酸化亜鉛 ,  半導性 ,  再結合 ,  亜鉛 ,  *整流 ,  *モデリング ,  銀 ,  *誘電体薄膜
準シソーラス用語： 電子素子 ,  キャリア輸送 ,  中間層 ,  ホモ接合 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 酸化物材料(ZnO) ,  薄膜 ,  Heterojunctions ,  電気輸送 ,  再結合と捕獲 ,  Semiconductors

分類 (3件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： 誘電体薄膜 ,  LD ,  ZnO ,  整流 ,  モデル ,  実験的研究